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李金华

作品数：16 被引量：13H指数：2
供职机构：湖北大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇理学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 10篇晶体管
  • 5篇晶体
  • 4篇低压
  • 4篇探测器
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇有机薄膜晶体...
  • 3篇栅极
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇硒化铅
  • 3篇光敏
  • 3篇光敏晶体管
  • 3篇PBSE
  • 2篇低电压
  • 2篇电池
  • 2篇电压

机构

  • 16篇湖北大学
  • 3篇香港理工大学
  • 1篇青岛大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇武汉软件工程...
  • 1篇中山职业技术...

作者

  • 16篇李金华
  • 5篇王贤保
  • 3篇卢朝靖
  • 3篇严锋
  • 3篇王圣
  • 2篇王立华
  • 2篇祁亚军
  • 2篇王建颖
  • 1篇屈钧娥
  • 1篇马鹏常
  • 1篇段晓峰
  • 1篇魏来
  • 1篇徐豆豆
  • 1篇梅涛
  • 1篇叶万能
  • 1篇马晓飞

传媒

  • 3篇湖北大学学报...
  • 3篇电子显微学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇中部四省化学...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2008
  • 1篇2006
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型荧光光子晶体薄膜及其在染料敏化太阳能电池背反射层中的应用
2018年
通过水热-垂直沉积法制备了一种新型的荧光光子晶体薄膜,得到的荧光光子晶体具有鲜艳的色彩和良好的荧光性能.此薄膜在460 nm处有明显的反射峰,在440 nm处有很强的荧光峰.将此荧光光子晶体薄膜作为染料敏化太阳能电池背反射层时,可以将开路电压由0.75 V提高到0.77 V,短路电流由7.64 m A/cm2提高到8 m A/cm2,光电转换效率由4.13%提高到4.23%,可以提高2.42%的光电转换效率.
马晓飞魏来朱祥朱玉华马鹏常李金华王建颖
关键词：光子晶体
宽波长响应PbSe/石墨烯杂化光敏晶体管
石墨烯光电探测器由于其高载流子迁移率、宽波长范围光吸收使其在光电器件方面得到广泛应用[1]。然而石墨烯极低的光吸收率导致响应很低[2]。本文利用溶液法制备的PbSe量子点，通过氯化铵钝化量子点表面提高其稳定性[3]。
王圣王贤保李金华
关键词：硒化铅石墨烯光电探测器
宽波长响应PbSe/石墨烯杂化光敏晶体管
石墨烯光电探测器由于其高载流子迁移率、宽波长范围光吸收使其在光电器件方面得到广泛应用。然而石墨烯极低的光吸收率导致响应很低。本文利用溶液法制备的Pb Se量子点,通过氯化铵钝化量子点表面提高其稳定性。利用Pb Se量子点...
王圣王贤保李金华
关键词：硒化铅石墨烯光电探测器
文献传递
基于金属纳米悬浮栅极薄膜晶体管的低压非挥发性存储器
有机电子过去二十年在很多应用方面取得了重大的进步,如有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池(OPV)、有机传感器、有机薄膜晶体管[1-3].同时,有机集成电路也需要发展与之兼容的有机存储器.聚合物铁电体、电阻、电解质...
李金华严锋
高k栅极低压有机薄膜晶体管
由于缺乏合适的栅极材料,目前有机薄膜晶体管(OTFT)高的操作电压使其应用遭遇大挑战[1-3].弛豫铁电三元聚合物P(VDF-TrFE-CTE)(56/36.5/7.5 mol％)展现出高的介电系数,达到60,这比以前在...
李金华严锋
关键词：有机薄膜晶体管低电压
硒化铅量子点/石墨烯可见光敏晶体管的研究
2017年
石墨烯晶体管以其高载流子迁移率和宽波长范围光吸收在光探测方面得到了广泛研究.然而石墨烯极低的光吸收率限制了其响应灵敏度.以溶液法用氧化铅、硒粉、TOP为反应物一步合成硒化铅量子点,与湿法转移的单层铜基底石墨烯复合,制备硒化铅量子点/石墨烯光敏晶体管,利用石墨烯的高迁移率和量子点对光的高吸收效率提高晶体管的光响应,测试表明晶体管对波长370 895 nm范围内的光均有良好响应,在波长540 nm光强0.528μW/cm^2下的响应率达到了10~6A/W.
王圣李金华
关键词：硒化铅量子点石墨烯光电探测器
在(001)SrRuO3/(001)SrTiO3上外延生长c轴取向Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的显微结构研究
2008年
用脉冲激光沉积在(001)SrRuO3/(001)SrTiO3上外延生长了c轴取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。SrRuO3底电极层厚约117nm,BNdT薄膜厚～35nm。X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)观察证实了SrRuO3层和BNdT薄膜的外延生长。通过TEM平面样品观察,在SrRuO3/BNdT界面附近看到了两种衬度处于不同高度的失配位错网,位错线沿<110>走向,其柏格斯矢量沿[110]或[110]方向有分量,在[001]方向上可能没有分量。讨论了位错的形成机制。
王立华李金华祁亚军卢朝靖YANG HaoJIA Quan-xi
关键词：BI3.15ND0.85TI3O12铁电薄膜失配位错
在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究被引量：3
2006年
卢朝靖李金华段晓峰
关键词：分子束外延生长INN蓝宝石GAN薄膜
层状钙钛矿型Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜在LaNiO_3/Si上取向生长的TEM研究
2008年
用溶胶-凝胶工艺在披覆了LaNiO3底电极的(100)Si衬底上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。X射线衍射结果显示,LaNiO3层呈(110)择优取向,BNdT薄膜呈c轴和a/b轴混合择优取向。透射电镜观察表明,LaNiO3电极层和BNdT薄膜厚度分别约为180nm和320nm。BNdT薄膜分为上下两层,厚约100nm的底层以薄片状c轴择优取向晶粒为主,在顶层许多柱状晶粒为a/b轴择优取向。讨论了BNdT薄膜在(110)LaNiO3电极上的择优取向生长机制。
叶万能王立华祁亚军李金华卢朝靖
关键词：BI3.15ND0.85TI3O12铁电薄膜透射电镜
低压PDVT-10有机场效应晶体管的制备及性能研究
目前基于PDVT-10的低压有机场效应晶体管已经表现出较高的空穴迁移率[1],但大多采用的是底栅结构。基于PDVT-10的低压顶栅结构鲜有报道。本文采用顶栅结构,将PDVT-10作为有源层,P（VDF-Tr FE-CFE...
江力李金华
关键词：晶体管低压
文献传递
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