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文献类型

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机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇李文
  • 2篇崔伟
  • 2篇陈洪波
  • 2篇熊化兵
  • 1篇谭开洲
  • 1篇杨永晖
  • 1篇谈长平
  • 1篇冯建
  • 1篇李智囊
  • 1篇唐绍根

传媒

  • 4篇微电子学
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2007
  • 1篇2003
  • 2篇2002
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
大流量超纯氢气纯化设备制造技术被引量:2
2002年
超纯氢气 (大于 6N)是半导体硅外延等工艺必备的工艺气体。文章介绍了利用超低温吸附的方法提纯大流量超纯氢气的工作原理 ,设备制造中的关键技术问题及难点 。
熊化兵李文陈洪波谈长平
关键词:硅外延半导体工艺
Hg肖特基C-V技术在特殊外延中的应用
阐述了Hg肖特基C-V技术的测量原理及其在特殊外延结构中的应用,针对其它外延层电阻率或浓度测量方法进行了比较,提出了应用Hg肖特基C-V技术测量外延参数的注意事项和参数设置要求,并对重掺衬底外延、双层外延、亚微米薄层外延...
唐驰李文徐俊
关键词:半导体器件工艺参数
硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法
本发明公开一种硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法,包括:在衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口;在衬底的表面上形成SiGe材料层;在衬底的表面上形成SiGe HBT晶体管发射区窗口;在硅片表面上形成SiGe HB...
崔伟杨永晖李文张霞朱坤峰黄东钱呈谭开洲梁柳洪汪璐
文献传递
一种热壁LPTEOS设备自动供液系统被引量:3
2019年
介绍了一种自主开发的自动供液系统。该系统适用于多台SVG7000热壁LPTEOS立式炉。详细介绍了系统的结构、原理及动作流程等。与传统的自动供液系统相比,该系统增加了多回路控制,优化了自动供液的时间,可同时控制多台设备,并保持每次运行程序前设备液态源液位一致。对使用该系统前后设备运行的数据进行对比,发现该自动供液系统将立式炉的稳定性提升了10%以上。
李海燕唐绍根李文李志成崔伟
关键词:立式炉稳定性
硅外延用大流量超纯氢气纯化系统的设计技术
2002年
在半导体集成电路制造工艺中 ,超纯氢气是必不可少的重要工艺气体。特别是在硅外延工艺中 ,氢气对工艺质量起着决定性作用。因此 ,对氢气的指标要求比较苛刻 ,其纯度应大于99.9999% ,而且必须是大流量连续供应。文章主要从流体学和传热学两方面 ,系统地介绍了利用超低温吸附方法提纯大流量超纯氢气设备的关键设计技术。
陈洪波冯建熊化兵李文李智囊
关键词:硅外延纯化系统
一种新型5V大功率开关稳压电源被引量:5
2003年
 简单介绍了TOP249Y单片开关电源控制电路的内部结构及原理,利用TOP249Y,设计了一种新型5V、大功率开关稳压电源。
李文
关键词:大功率开关稳压电源脉宽调制
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