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李开成

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：四川固体电路研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇锗硅
  • 1篇锗硅合金
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇SI
  • 1篇X

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇四川固体电路...

作者

  • 1篇杨沛锋
  • 1篇李开成

传媒

  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si_(1-x)Ge_x/Si材料外延生长技术
1999年
介绍了用MBE法生长SiGe／Si新材料的无氧外延表面等关键技术，并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex／Si材料。其测试结果与分析表明，该合金材料有效组成成分（x=0.15）和电学参数符合理论设计目标。利用该材料试制成功了St1-xGex-PMOS（X=0.18）器件。
杨沛锋李开成刘道广
关键词：锗硅合金分子束外延
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共1页<1>
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