李开成
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
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- Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究被引量：5
- 2002年
- 利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0°C和 90 0°C退火后应变 Si Ge/Si异质结材料的热稳定性。结果表明 ,随着退火温度的提高 ,应变层垂直应变逐渐减小 ,并发生了应变驰豫 ,导致晶体质量退化 ;且 Ge组分越小 ,Si1-x Gex 应变结构的热稳定性越好 ;
- 李竞春杨沛峰杨谟华何林李开成谭开州张静
- 关键词：热稳定性分子束外延X射线双晶衍射锗硅材料
- 自对准、全离子注入、Poly-Si发射极工艺研究及其在超高速A\D、D\A中的应用
- 该文详细阐述一种自对准、全离子注入、Ｐｏｌｙ－Ｓｉ发射极工艺的研究。该工艺已应用于超高速Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的研制中。利用该研究成果成功地开发了转换速率１２５－２５ＭＨ〈，ｚ〉建立时间为１０ｎｓ的超高速８位视频Ｄ／Ａ转换...
- 刘道广李开成王洪平
- 关键词：自对准全离子注入
- 文献传递网络资源链接
- 有效抑制掺杂表面偏析效应的LT-MBE技术
- 在分子束外延中,所有的掺杂剂都存在表面偏析效应.本文提出的低温分子束外延技术,有效地抑制了掺杂剂的表面偏析效应,掺杂浓度可达到∽1020/cm3.生长掺杂后用原位RHEED观测,晶体质量良好.这种技术应用于SiGeHBT...
- 张静徐婉静李开成刘道广刘嵘侃
- 关键词：分子束外延快速热退火集成电路
- 文献传递
- SiGe HBT缓变基区的MBE生长
- 利用分子束外延(MBE)方法,生长SiGe HBT的缓变基区.Ge的组分从集电极一侧线性缓变地向发射极一侧降低,由生长速率精确控制.
- 张静李开成易强凡则锐
- 关键词：分子束外延
- 文献传递
- 自对准、全离子注入、Poly-Si发射极工艺研究及其在超高速A\D、D\A中的应用
- 详细阐述一种自对准、全离子注入、Ｐｏｌｙ－Ｓｉ发射极工艺的研究。该工艺已应用于超高速Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的研制中。利用该研究成果成功地开发了转换速率１２５－２５ＭＨ〈，ｚ〉建立时间为１０ｎｓ的超高速８位视频Ｄ／Ａ转换器Ｓ...
- 刘道广李开成王洪平
- 关键词：自对准全离子注入
- SiGe/Si材料特性表征技术
- 本文对表征SiGe/Si异质结材料特性的测量技术X-ray双晶衍射、反射高能电子衍射、Hall测量、二次离子质谱测量等进行了较为全面的介绍,为更好地了解、掌握和评价SiGe/Si材料特性提供一定帮助.
- 张静李开成易强凡则锐
- 关键词：SIGE材料材料特性
- 文献传递
- 锗硅/硅异质结双极晶体管的研制
- 本文介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的锗硅/硅(SiGe/Si)结构的异质结双极晶体管(HBT)的研制.在该项研究工作中,SiGe/Si薄膜是用法国Riber公司SIVA32型分子束外延设备制备的.在SiGe异质结双...
- 刘道广李开成张静易强
- 关键词：锗硅材料分子束外延异质结双极晶体管工艺技术
- 文献传递
