李广如
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
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- GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征(英文)被引量：2
- 2011年
- 制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量。C-V测量用来确定载流子的分布和耗尽信息,结果显示,p型层在15 V左右达到耗尽,对应的空穴载流子浓度在1.9×1017 cm-1左右,相对低的载流子浓度降低了电场限制,使探测器的工作电压相对偏高。在不同偏压下测量的光谱响应曲线显示出明显的Franz-Keldysh效应。
- 李广如秦志新桑立雯沈波张国义
- 关键词：紫外探测器雪崩碰撞电离
- GaN和AiGaN雪崩探测器件的模拟和制备
- GaN,AlN及其三元化合物AlGaN在制备紫外光探测器,紫外发光二极管以及高温高速电子器件等方面有着重要的应用。特别是基于它们的雪崩探测器件,为提供轻巧,廉价,高响应度的紫外探测器开辟了新的途径。GaN,AlGaN基的...
- 李广如
- 关键词：GANALN
