朱玉俊
- 作品数：4 被引量：17H指数：1
- 供职机构：安徽大学化学化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- C_3N_4基本性质的第一性原理研究被引量：1
- 2013年
- 通过第一性原理方法计算得到α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4、Pseudocubic-C3N4、Graphitic-C3N4的光学及电学性质.结果表明,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4为间接带隙半导体,Pseudocubic-C3N4与Graphitic-C3N4为直接带隙半导体,它们的带隙依次减小,分别为3.886、3.273、3.023、2.592、1.260 eV.光学性质显示,C3N4的光吸收有2个吸收峰,而且都在紫外光区,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4、Pseudocubic-C3N4对应的是σ的跃迁,Graphitic-C3N4对应的是σ跃迁和π跃迁.C3N4的光导率谱显示,C3N4具有较宽的光导率响应区间,且有较大的峰值,其中Pseudocubic-C3N4的峰值最大,说明它的光导性能最强.
- 阮林伟朱玉俊裘灵光卢运祥
- 关键词：C3N4第一性原理CASTEP
- g-C_3N_4碳位掺杂电学及光学性质的分析被引量：15
- 2014年
- 使用第一性原理研究了C位掺杂的g-C3N4的电学性质和光学性质,掺杂原子为B、P、S.g-C3N4有C1位和C2位两种对称位碳原子,其中在C1位上的掺杂易于C2位,掺杂体系也较C2位稳定.相比于磷和硫在gC3N4上的掺杂,硼掺杂最易于进行.掺杂后体系的晶体结构之间差别较大,这与掺杂原子的大小以及电负性有关.由轨道布居分布可知,掺杂后的硼、磷、硫原子价电子发生了变化,表明掺杂原子发生了杂化,与相邻原子以强的共价键相连.掺杂原子与被取代的碳原子之间的价电子差异导致了能带的增加.在原来的体系中,掺杂后的体系出现了一条新的能带,因此导致实际带隙下降,表明了掺杂后的体系导电性能增强.对纯g-C3N4及掺杂g-C3N4的光学性质分析表明,g-C3N4的光学吸收主要在紫外光区,掺杂磷和硫后对g-C3N4的光吸收波长范围无改变,掺杂硼后的g-C3N4光吸收不再局限于紫外光区,而且延伸至可见光区和红外光区,并在红外光区有很强的吸收,表明g-C3N4掺杂硼后能大大地提高光催化效率.电子能量损失光谱和光导率谱以及介电常数都佐证了上述观点.
- 阮林伟裘灵光朱玉俊卢运祥
- 关键词：掺杂电学光学第一性原理
- 碳掺杂α-S_8的光学性质和弹性性质的第一性原理计算被引量：1
- 2014年
- 采用第一性原理研究了C原子在光催化剂α-S8中掺杂后体系电子结构、能带结构、光学性质、弹性性质以及其各向异性的变化规律.结果表明C原子在α-S8中掺杂后新形成的C―S键键长变短、键的重叠布居数增加、电荷密度增加,表明新键的共价性变强.掺杂结构的带隙为2.64 eV,比纯α-S8的带隙小0.15 eV,表明掺杂后的结构导电性增强.掺杂结构的光吸收波长延长至650 nm左右,极大地提高了α-S8的光吸收效率.弹性性质计算表明C掺杂后α-S8的机械性能下降,但仍为脆性材料.各向异性的研究表明掺杂后的材料各向异性增强.
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- 关键词：CASTEP光学性质
- g-C_3N_4/germanene异质结物理性质的密度泛函计算-电场的影响（英文）
- 2016年
- 通过第一性原理计算研究电场强度和方向对于g-C3N4/germanene双层的结合能、态密度以及电荷的影响.计算结果显示,电场对于双层的物理性质影响很大,方向朝上的电场使得态密度曲线向左移动,同时方向朝下的电场使得态密度曲线朝右移动.并且在电场的影响下,功函数的变化不大.
- 阮林伟朱玉俊卢运祥
- 关键词：异质结电场
