曹丙强
- 作品数：129 被引量：44H指数：4
- 供职机构：济南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金山东省“泰山学者”建设工程项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程理学更多>>
- 一种氧化锌/氧化亚铜薄膜太阳能电池的制备方法
- 本发明属于薄膜太阳能电池制备的技术领域，特别涉及一种氧化锌/氧化亚铜薄膜太阳能电池的制备方法，通过电化学沉积以透明导电玻璃为衬底沉积一层氧化锌纳米材料，再以制备出的氧化锌纳米材料为基底，沉积一层氧化亚铜薄膜，制备氧化锌/...
- 曹丙强魏浩铭巩海波徐红燕
- 文献传递
- 一种蝴蝶结状四氧化三钴的制备方法及其应用
- 本发明属于无机材料的制备及应用领域，具体涉及一种蝴蝶结状四氧化三钴的制备方法及其应用。该方法的具体步骤为：（1）将钴盐和对苯二甲酸溶解于有机溶剂和去离子水的混合溶液中，搅拌，形成混合均匀溶液；（2）将步骤（1）得到的混合...
- 李丽张子超曹丙强
- 文献传递
- 一种同轴线型柔性锰氧化物烯超级电容器
- 本发明公开了一种同轴线型柔性锰氧化物烯超级电容器，包括如下步骤：首先在线型柔性导电集流体上生长锰氧化物薄膜，形成电极材料做正极。其次，使用碳纤维套管做负极，将正负电极嵌套一起，中间用隔膜将两电极相互隔开并注入固态或液态电...
- 刘凤杨晓朋段广彬曹丙强
- 文献传递
- 一种具有减磨效果的氧化物微球的激光液相退火制备方法及应用
- 本发明公开了一种具有减磨效果的氧化物微球的激光液相退火制备方法，属于微纳米材料的制备与激光技术应用领域。其工艺步骤如下：将氧化物半导体粉末分散在液相介质中，通过激光束经聚焦透镜直接作用于氧化物半导体粉末，使粉末发生烧蚀退...
- 曹丙强胡夕伦郑少华
- 一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料及其原位制备方法
- 本发明公开了一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料及其原位制备方法，该原位制备方法在冰浴条件下，用凸透镜聚焦激光束，将碳化硅颗粒加入含一定氨水的去离子水中后得到的悬浮分散液作为液相靶，在脉冲激光条件下进行辐照，辐照完成后，将悬浮...
- 李伟罗婷曹丙强王丽孙靖
- 文献传递
- 一种碳包覆镍钴钼金属氧化物复合电极材料及其制备方法
- 本发明公开了一种碳包覆镍钴钼金属氧化物复合电极材料及其制备方法。该制备方法的具体步骤为：（1）将硝酸镍、硝酸钴、钼酸铵和尿素按一定比例溶解于去离子水中，搅拌，形成混合均匀溶液；（2）将步骤（1）得到的混合均匀溶液置于水热...
- 姜高学李丽曹丙强
- 文献传递
- 一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法
- 本发明公开了一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法。方法如下：将基片置于匀强电场中；调节电场方向，使基片表面与电场负方向成？α角度，0≤α≤360<Sup>o</Sup>，电场强度1×10<Sup>-6</Sup>？V/...
- 杨晓朋徐翔曹丙强
- 文献传递
- 生长条件对脉冲激光沉积制备ZnO:Al薄膜光电性能的影响被引量：6
- 2013年
- 本文研究了脉冲激光沉积(PLD)生长过程中,铝掺量、氧压及衬底温度等实验参数对ZnO:Al(AZO)薄膜生长的影响,并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、霍尔效应、光透射光谱等实验手段对其透明导电性能进行了探讨.变温霍尔效应和光透射测量表明,当靶材中铝掺量大于0.5 wt%时,所制备AZO薄膜中铝施主在80 K时已完全电离,因Bernstein-Moss(BM)效应其带隙变大,均为重掺杂简并半导体.进一步系统研究了氧压和衬底温度对AZO薄膜透明导电性能的影响,实验发现当氧压为1 Pa,衬底温度为200℃时,AZO导电性能最好,其霍尔迁移率为28.8 cm2/V·s,薄膜电阻率最小可达2.7×10-4Ω·cm,且在可见光范围内光透过率超过了85%.氧压和温度的增加,都会导致薄膜电阻率变大.
- 韩军张鹏巩海波杨晓朋邱智文自敏曹丙强
- 关键词：脉冲激光沉积法ZNO:AL薄膜透光性导电性
- 新一代钙钛矿太阳能电池的构筑与性能研究进展被引量：1
- 2015年
- 综述钙钛矿太阳能电池的组装、结构及相关性能等领域的最新研究进展,总结甲胺铅碘电池的稳定性、材料毒性及制备方法、有关电学性质存在的争议、工作机理及结构优化等方面的问题和困难。指出制备高晶体质量的甲胺铅碘薄膜、深入理解甲胺铅碘基本物理化学性质及电池光生载流子输运机理是该领域的重要科学问题。提出应通过系统优化生长条件,获得高质量的甲胺铅碘薄膜,利用半导体实验方法精确测量钙钛矿材料的不同物理参数,利用能带理论设计和优化电池结构,进而深入探索光生载流子的产生、分离、收集和复合等输运规律。
- 曹丙强张子超巩海波邱智文仇晓风苑帅
- 关键词：钙钛矿电池效率
- 真空热蒸发法制备碘化亚铜薄膜在钙钛矿电池中的应用被引量：1
- 2018年
- γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种宽带隙p型半导体材料,禁带宽度为3.1eV,适合应用于LED和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的真空热蒸发法制备了CuI薄膜,探究了不同的沉积速率对CuI薄膜的光学和电学性能影响。在最优的沉积速率下,制备出了高性能的CuI薄膜。利用CuI薄膜作为空穴传输层,组装了反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为11.69%,并讨论了CuI薄膜的性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理。
- 张海良曹丙强
- 关键词：碘化亚铜
