戴珊珊
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：南通大学理学院江苏省专用集成电路设计重点实验室更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 椭球模型下通过雾场的多重光散射谱被引量：3
- 2012年
- 由于雾滴的非球形、多重散射特性以及几何光学效应,光通过实际雾场的散射问题成为一个研究难点.建立了近于实际的椭球雾滴模型,考虑光的衍射、透射及反射特性后,利用辐射传播方程得到了在不同的雾滴大小分布及不同的雾滴形状分布下通过雾场的多重散射光强公式.在两种特例下与已有的结果较为相符,说明了方法的可靠性.计算表明:与随机取向的非球形颗粒场的散射谱呈圆形特征不同,通过椭球形雾滴场的散射谱呈椭圆特征,不同方位角的散射光强角分布有所差异,雾滴的形状因子越接近于1,差异越小;与单散射不同,散射谱中的条纹随光学厚度增大逐步消失;对于不同大小分布及不同形状分布的雾滴场,在不同方位角及不同观察角的散射光强随光学厚度Υ的增加总是先增大再减小,光强的极大值位置在Υ=1.0-3.0范围内.计算同时还表明,由于多数情况下实际雾场的雾滴大小偏差较大,因而通过雾场的散射谱将呈现以中央亮斑为中心向四周弥散的图样.
- 戴兵袁银男梅德清江俊康戴珊珊
- 关键词：雾滴椭球光谱
- 等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化被引量：7
- 2014年
- 研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30—60 nm不等.腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚.温度对膜厚和折射率的影响可以忽略.钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.
- 何素明戴珊珊罗向东张波王金斌
- 关键词：氮氧化硅等离子体增强化学气相沉积
- 具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究
- 2012年
- 本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。
- 罗向东翟宪振戴珊珊余晨辉刘培生
- 关键词：LDMOS漂移区表面电场
