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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇医药卫生

主题

  • 1篇氧化性应激
  • 1篇氧化应激
  • 1篇应激
  • 1篇再灌注
  • 1篇再灌注损伤
  • 1篇缺血
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  • 1篇自噬
  • 1篇脑缺血
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  • 1篇脑缺血再灌注...
  • 1篇灌注
  • 1篇灌注损伤

机构

  • 1篇上海交通大学
  • 1篇上海交通大学...

作者

  • 1篇卞留贯
  • 1篇王文静
  • 1篇孙青芳
  • 1篇汤耀辉
  • 1篇孙昱皓
  • 1篇戴敏超

传媒

  • 1篇中国微侵袭神...

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
氧化应激对脑缺血再灌注损伤后自噬调控机制被引量:10
2013年
目的研究小鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后早期自噬的变化和活性氧调控自噬的作用机制。方法线栓法制作小鼠短暂性大脑中动脉闭塞(tMCAO)模型56只,随机分成假手术组,对照组(仅建立tMCAO损伤)、tMCAO+N-乙酰-L-半胱氨酸(NAC)组和tMCAO+雷帕霉素组。Western blotting检测皮质和纹状体再灌注后不同时间点(再灌注后1、3、6、12、24 h)自噬相关蛋白LC3Ⅰ、LC3Ⅱ和Beclin-1的表达。双氢溴乙啶染色检测细胞内活性氧水平及对自噬活性的影响,免疫荧光染色观察NAC或雷帕霉素诱导下的自噬变化。2,3,5-氯化三苯四氮唑染色观察脑梗死面积的变化。结果与假手术组比较,缺血再灌注损伤后1 h Beclin-1开始升高,6 h LC3Ⅱ/LC3Ⅰ表达上调。与对照组对比,NAC条件下LC3Ⅱ/LC3Ⅰ和Beclin-1表达趋势明显升高。缺血再灌注损伤后1 h活性氧开始升高,给予NAC后表达下降。在NAC和雷帕霉素干预下,梗死面积缩小。结论小鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后自噬表达上调,活性氧水平升高,抗氧化剂可能通过激活细胞的自噬途径保护神经细胞,减小脑梗死面积。
王文静孙昱皓戴敏超汤耀辉孙青芳卞留贯
关键词:脑缺血再灌注损伤自噬氧化性应激
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