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有“一定影响”的未注册商标的法律保护研究: 为了弥补商标权注册取得的先天缺陷,我国于2013年对《商标法》进行了第三次修改时,首次将“商标先用权”以“在先使用抗辩”条款的法条形式确定下来,也大幅度修改了涉及对在先使用的“有一定影响”的未注册商标保护的商标争议制度中...; 彭静; 关键词：未注册商标先用权诚实信用原则不正当手段; 文献传递

基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的新型纳米结构材料的光电性能研究: Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是一类重要的半导体材料,具有宽禁带、直接带隙以及较大激子自由能等特性,在发光二极管、太阳电池以及激光器件等诸多领域具有重要应用。纳米材料由于量子尺寸效应的存在而表现出与块体材料不同的新奇特性。Ⅱ-Ⅵ无...; 彭静; 关键词：量子点溶剂热法水相合成; 文献传递

CdSe包覆层数对水溶性CdTe/CdSe(Ⅱ型)核壳量子点的光学特性和微观结构的影响被引量：5: 2012年; 在水相合成的CdTe量子点的体系中通过分批次加入新鲜配制的NaHSe和CdCl2溶液,制备出了CdSe包覆层数不同的CdTe/CdSe核壳量子点,并着重考察了CdSe包覆层数对CdTe/CdSe核壳量子点的光学特性以及微观结构的影响.与CdTe量子点相比,CdSe单层包覆的CdTe/CdSe核壳量子点的吸收峰和荧光发射峰出现明显红移;随着CdSe包覆层数的增多,CdTe/CdSe核壳量子点吸收光谱的覆盖范围向长波方向扩展,荧光发射峰强度逐步下降,荧光寿命大幅延长,体现出Ⅱ型核壳量子点的特征.X射线衍射(XRD)分析表明,随着CdSe包覆层数的增多,CdTe/CdSe核壳量子点的粉末衍射峰由CdTe衍射峰位置逐步向CdSe衍射峰位置靠近.CdTe/CdSe核壳量子点因其延伸到近红外区域的宽吸收特性致使其在太阳电池领域具有重要的应用前景.; 彭静方晓明陈志鸿张正国; 关键词：水相合成

高量子产率CdTe量子点的水相合成: 本文采用水相法合成了巯基包覆的CdTe量子点,考察了CdTe量子点的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱随回流时间的变化趋势,并测定出回流6h的CdTe量子点的量子产率高达74％.CdTe量子点在新型太阳电池中具有重要应用.; 董连洋彭静何禄英方晓明张正国; 关键词：量子产率水相合成荧光光谱太阳电池; 文献传递

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彭静