彭艳军
- 作品数：7 被引量：17H指数：2
- 供职机构：东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 微波化学装置中相关技术的研究
- 本文研究了微波化学装置中采用的几种相关技术，目的是为了提供圆形槽波导谐振腔型微波化学反应体系所必需的装置和实验中必需明确的技术特性参数。在深入课题项目实验研究的基础上，分别研究了高功率微波可变衰减器、介电参数的测量方法、...
- 彭艳军
- 关键词：圆形槽波导可变衰减器介电常数测量
- 文献传递
- 一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器被引量：2
- 2009年
- 基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结构和一种新型偏置电路,除射频扼流电感外,其它元件均片内集成。采用的新型偏置电路用于调节功率放大器的静态偏置电流,使功率放大器工作在高功率模式状态或低功率模式状态。在3.5V电源条件下,功率放大器在低功率模式下工作时,与工作在高功率模式下相比,其功率附加效率在输出0dBm时提高了56.7%,在输出20dBm时提高了19.2%。芯片的尺寸为1.32mm×1.37mm。
- 彭艳军王志功宋家友
- 关键词：功率放大器锗硅偏置电路异质结双极型晶体管
- 基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的2GHz功率放大器设计(英文)被引量：1
- 2008年
- 采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器.该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点.通过在管子基极和匹配电感中串联电阻,实现了全频段稳定.键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作.在VC=3.5V,VB=6V,f=2.0GHz时,小信号增益为20.8dB,输入输出反射系数分别小于-17和-16dB,Pout-2dB约为24dBm.而在输出功率为25.1dBm时,功率附加效率达到21.5%,二次和三次谐波分别小于-45和-52dBc,因而具有较好的线性度.
- 宋家友王志功彭艳军
- 关键词：功率放大器SIGEBICMOSHBT
- 单片集成射频功率放大器的研究
- 随着第三代移动通信技术(3G)和新一代宽带无线网络的迅猛发展，无线局域网(WLAN，WirelessLAN)技术由于具有传输速度快、有效距离长、可靠性高的特点，与正在发展中的3G形成互补关系，成为世界各国建设下一代低成本...
- 彭艳军
- 关键词：移动通信信号发射功率放大器电路设计
- 文献传递
- HBT MMIC功率放大器的自适应线性化偏置技术被引量：12
- 2006年
- 设计HBTMMIC功率放大器,偏置电路的选择对于提高功率放大器的效率和线性度至关重要。为了在效率和线性度之间取得良好折中,一个重要的方法是让HBT的偏置点随输入信号的功率变化而变化。许多文献都对这种自适应偏置技术进行了研究,然而,对于多种自适应线性化偏置电路比较和分析的文章尚未见报道。本文综合叙述了适用于HBTMMIC工艺,尺寸小、成本低的多种自适应线性化偏置电路,总结了这些偏置电路的基本工作原理,并提出了一种改进的线性化偏置电路。
- 彭艳军宋家友王志功
- 关键词：功率放大器偏置电路异质结晶体管单片微波集成电路线性化
- 单片集成功率放大器的研究
- 彭艳军
- 关键词：功率放大器偏置电路
- 基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的中功率放大器
- 2009年
- 采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联电阻实现了全频段稳定。键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作。在VC=3.5V,VB=7V,f=4.1GHz时,小信号增益为17.7dB,输入输出反射系数分别为-16.9dB和-13.9dB,而在输出功率为22.8dBm时,二次和三次谐波分别小于-36dBc和-45dBc。
- 宋家友王志功彭艳军
- 关键词：功率放大器锗硅异质结双极型晶体管
