彭曼泽
- 作品数：9 被引量：13H指数：3
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- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器
- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器，其特征在于：由读出电路，铝电极，下电极，光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极，铝电极上设计有凹槽，在凹槽内沉积金属下电极，下电极通过铝电极与读出电路连接，在读出电路、铝电极以及下...
- 史衍丽姬荣斌李凡何雯瑾邓功荣杨瑞宇康蓉彭曼泽
- 文献传递
- 基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系被引量：1
- 2013年
- 利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度p/n之间的公式及曲线。分析了不同p/n值时霍尔电压值与材料导电类型的关系,确定了适合采用一种载流子体系材料及二种载流子体系材料霍尔系数公式的空穴浓度范围。
- 彭曼泽李东升李秋妍田立萍吴刚
- 关键词：载流子浓度
- 波长范围为1～3μm的红外探测器相对光谱响应特性的测量被引量：6
- 2004年
- 主要介绍了波长范围为 1～ 3μm的红外探测器相对光谱测量。通过对 7、8谱段 (被测探测器的名称 )的红外探测器的测试 ,详细介绍了短波器件相对光谱响应特性的测量方法和G因子的计算方法。
- 彭曼泽刘一民李立华康蓉
- 关键词：红外探测器光谱响应特性峰值波长截止波长
- 由黑体D_(bb)~*确定峰值D_λ~*以及黑体波段D_(△λ)~*——G因子的计算被引量：3
- 2005年
- 介绍了G因子的概念和确定方法。常规黑体Dbb*和相对光谱响应测量结果加上黑体辐射特性数*据便可计算G因子。同时介绍了波段G因子及其计算方法。
- 康蓉李立华彭曼泽刘一民朱惜辰
- 关键词：G因子波段相对光谱响应黑体辐射
- 体晶ZnO光导探测器制备与测试被引量：3
- 2007年
- 在体单晶ZnO的Zn面和O面通过直流溅射金属薄膜,并采用剥离电极成型方法制备梳妆电极,从而制备出体晶ZnO紫外光导探测器。对Pt/ZnO/Pt的伏安特性测试研究表明,金属Pt和ZnO形成很好的欧姆接触,而Zn面的器件电阻明显低于O面的器件电阻。对制成的紫外探测器的光电性能测试表明,器件制备极性面的选择,测试的调制频率、偏置电压对器件的性能有较大影响,最终器件的电流响应率达到14.6A/W。
- 赵鹏周旭昌洪雁唐利斌彭曼泽
- 关键词：欧姆接触
- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器
- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器，其特征在于：由读出电路，铝电极，下电极，光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极，铝电极上设计有凹槽，在凹槽内沉积金属下电极，下电极通过铝电极与读出电路连接，在读出电路、铝电极以及下...
- 史衍丽姬荣斌李凡何雯瑾邓功荣杨瑞宇康蓉彭曼泽
- 一种用于大尺寸长条状半导体样品的霍尔测试装置及方法
- 本发明公开了一种用于大尺寸长条状半导体样品的霍尔测试装置及方法，由电流加载选通装置、测试用电缆、固定支架、杜瓦、垂直升降装置及磁场加载装置组成。方法包括：1)由该垂直升降装置水平部分托起杜瓦部件，待测样品置于杜瓦内部，随...
- 丛树仁陈姗严顺英李俊宁卓芮红明李沛孔金丞李东升彭曼泽杨彦
- 文献传递
- 基于双层模型外延HgCdTe薄膜的霍尔测试
- 2018年
- 采用Petritz双层薄膜结构模型,用化学腐蚀的方法分离MBE外延双色HgCdTe薄膜,测试并验证了双层模型对中短双色MBE外延HgCdTe薄膜中各层的霍尔参数计算的有效性,给出了测量不确定度评定以及相对误差。实验表明,MBE外延双层HgCdTe薄膜中的中波薄膜层电导率及霍尔系数的扩展不确定度范围分别为0.33～0.41W·cm和61～113cm3/C,置信概率为95%,与对比样品的中波膜层霍尔参数相比,载流子浓度及霍尔迁移率的相对误差分别小于20%和10%。
- 彭曼泽丛树仁郭沁怡严顺英俞见云李培源杨春章李艳辉王燕田立萍孔金丞李东升杨玉林
- 关键词：双层膜MBEHGCDTE薄膜扩展不确定度
- 一种新颖的HgCdTe光伏探测器R_0和C_d测量方法
- 2011年
- 把碲镉汞(HgCdTe)光伏探测器的零偏压结电阻R0和结电容Cd的交流测试法与124A型锁相放大器的特点结合起来,提出了一种新颖的R0和Cd测量方法。该方法简单易行,而且能准确测量出高阻(R0≥1 k?)HgCdTe光伏探测器的零偏压结电阻R0、结电容Cd、响应时间τ和面阻抗(R0A)等参数,并采用标准探测器估算出该系统的测试误差(<5%)。这种方法还可以用来测量其他材料光伏探测器的零偏压结电阻和结电容。
- 余连杰史衍丽康蓉彭曼泽庄继胜
- 关键词：光伏探测器参数测量
