彭家志
- 作品数：9 被引量：14H指数：3
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术化学工程理学更多>>
- 介质阻挡层对镁合金等离子体电解氧化陶瓷膜生长影响
- 等离子体电解氧化(PEO)技术为轻金属材料表面改性提供了新思路,利用该技术制得的膜层兼具阳极氧化膜及陶瓷膜的性能,拓宽了轻金属材料的使用领域。目前国内外对于PEO膜层性能做了大量的研究工作,而PEO技术的重要特征之一是其...
- 彭家志
- 关键词：等离子体电解氧化化学转化陶瓷膜
- 文献传递
- 等离子体电解氧化电解液配方研究进展被引量：3
- 2009年
- 目前,等离子体电解氧化是对轻金属及其合金表面处理的一种常用方法,在不同的工艺条件下能制备不同组成、性能、形貌的陶瓷膜。而在不同的工艺条件中,电解液配方起着极其重要的作用。通过介绍国内外不同电解液配方及不同电解液组分对等离子体电解氧化陶瓷膜的影响,表明其具体影响还有待于进一步系统研究。
- 彭家志陈砺严宗诚王红林王丽
- 关键词：等离子体电解氧化电解液陶瓷膜
- 纳米金自组装多层膜电极制备及电催化研究被引量：2
- 2009年
- 用自组装法将纳米金粒子组装到化学修饰过的ITO玻璃片上,制备了一种新型的多层纳米金修饰电极。用紫外可见光谱、循环伏安等方法对其进行了研究。结果表明:电极对抗坏血酸具有良好的电催化氧化作用,峰电流与浓度在1.0×10-5～1.4×10-2 mol/L范围内线性关系良好,检出限4.0×10-6 mol/L。
- 马建文彭家志
- 关键词：自组装抗坏血酸
- 改进的等离子体电解工艺制备氧化锆陶瓷薄膜及其性能被引量：4
- 2009年
- 为改善氟锆酸盐电解液的老化现象,以氟锆酸盐为主电解液,在其中加入少量NaH2PO4和H3PO4,对AZ31镁合金进行等离子体电解氧化处理,制得氧化锆陶瓷薄膜。用扫描电镜、X射线衍射及能谱分析检测了添加剂对陶瓷薄膜的形貌特征、元素及物相组成的影响。结果表明:添加剂改变了电解液体系的放电特性,能有效抑制氟锆酸盐电解液的老化;添加剂的加入能够提高膜中氧化锆的含量,且降低了F在膜中的含量。制得的氧化锆薄膜能有效提高AZ31镁合金的耐腐蚀性能。
- 王丽陈砺严宗诚王红林彭家志
- 关键词：陶瓷薄膜等离子体电解氧化氧化锆镁合金
- 等离子体电解氧化膜的工艺优化及耐腐蚀性能评价
- 研究了镁合金等离子体电解氧化膜的表面制备工艺。采用正交设计法优化实验方案，对每个方案制备的氧化膜的硬度和耐点滴腐蚀时间进行分析。确定各因素对氧化膜性能的影响程度,优化工艺配方。在较优的工艺配方条件下研究了电极距离及电解液...
- 彭家志陈砺王红林严宗诚王丽
- 关键词：等离子体镁合金动电位极化耐腐蚀性能电极距离
- 文献传递
- 镁合金的等离子体电解氧化工艺优化及膜的耐腐蚀性被引量：3
- 2009年
- 为优化AZ31镁合金的等离子体电解氧化工艺,并对制得的陶瓷膜的耐腐蚀性能进行电化学动力学研究.利用四因素(Na_2SiO_3浓度、KOH浓度、电解氧化电压和电解氧化时间)、三水平的田口方法优化工艺条件,并采用动电位极化曲线扫描评价AZ31镁合金等离子体电解氧化陶瓷膜的耐腐蚀性能.结果表明:该陶瓷膜的耐腐蚀性能受田口正交矩阵中各水平的影响显著,KOH质量浓度对耐腐蚀性能的影响最大;耐腐蚀性能的最优实验参数为:Na_2SiO_3质量浓度20 g/L,KOH质量浓度4 g/L,电解氧化电压300 V和电解氧化时间40min。
- 陈砺彭家志严宗诚王红林王丽
- 关键词：等离子体电解氧化田口方法陶瓷膜AZ31镁合金
- 三缺位磷钨酸盐的制备与光催化降解甲基橙的研究
- 利用直接合成法制备了具有Keggin结构的三缺位磷钨酸盐(Na8HPW9O3424H2O)，并对其进行提纯除杂质，真空室温干燥。通过傅立叶红外光谱(FT-IR Spectrometer)等表征手段对所合成的产物进行表征。...
- 彭家志舒火明
- 关键词：染料废水甲基橙光催化
- 等离子体电解氧化膜的工艺优化及耐腐蚀性能评价
- 研究了镁合金等离子体电解氧化膜的表面制备工艺。采用正交设计法优化实验方案,对每个方案制备的氧化膜的硬度和耐点滴腐蚀时间进行分析。确定各因素对氧化膜性能的影响程度,优化工艺配方。在较优的工艺配方条件下研究了电极距离及电解液...
- 彭家志陈砺王红林严宗诚王丽
- 关键词：金属防腐镁合金动电位极化
- 等离子体电解氧化膜的工艺优化及耐腐蚀性能评价被引量：3
- 2009年
- 对镁合金等离子体电解氧化膜的表面制备工艺进行了研究。采用正交设计法优化实验方案,对最佳工艺条件下制备的氧化膜的微观形貌、相组成进行了研究;采用点滴腐蚀、动电位极化曲线、循环阳极极化曲线、电化学阻抗谱及浸泡腐蚀试验对AZ31镁合金及等离子体电解氧化膜的耐腐蚀性能进行了综合评价。结果表明,制备的等离子体电解氧化膜的最佳工艺为KOH 4 g/L、硅酸盐20 g/L、氧化电压300 V、氧化时间30 min;氧化膜主要成分为MgSiO3和Mg2SiO4,经过等离子体电解氧化之后其显微硬度、耐点滴腐蚀、耐均匀腐蚀和耐点腐蚀性能较AZ31镁合金均有较大提高。
- 王丽陈砺王红林严宗诚彭家志
- 关键词：等离子体电解氧化镁合金动电位极化电化学阻抗谱
