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崔文涛
作品数:
6
被引量:2
H指数:1
供职机构:
北京大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈中建
北京大学微电子学研究院
刘菁
北京大学微电子学研究院
鲁文高
北京大学微电子学研究院
吉利久
北京大学微电子学研究院
高峻
北京大学微电子学研究院
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一种焦平面阵列读出电路及其读出方法
本发明提供了一种焦平面阵列读出电路,包括两组行选控制电路,两组列选控制电路,两组列读出级,两个视频输出级;像素单元Pixel(i,j)通过两个MOS开关管与两条列线相连,Pixel(i,j)在行选控制L产生的行选择信号r...
鲁文高
陈中建
高峻
刘菁
刘丹
唐矩
崔文涛
吉利久
文献传递
快闪电荷放大结构焦平面读出电路及其读出方法
本发明提供了一种快闪电荷放大结构的焦平面读出电路及其读出方法。在电路结构上,像素单元的列数为N,将N列像素单元电路的输出进行分组,最大的一组包括q<Sub>max</Sub>列,列读出级有q<Sub>max</Sub>个...
高峻
鲁文高
陈中建
吉利久
刘菁
崔文涛
文献传递
标准单元建库方法学研究
本论文基于标准单元和IP的设计是ASIC和SoC设计中的主流设计方法,同全定制设计方法相比,基于标准单元和IP的半定制设计方法,可以缩短设计时间,降低设计成本,使得大规模的IC设计成为可能。 在目前采用半定制设...
崔文涛
关键词:
标准单元库
电路设计
版图设计
文献传递
具备时间延迟积分的高性能线阵288×4CMOS读出电路(英文)
被引量:2
2004年
描述了一种高性能CMOS线阵 2 88× 4读出电路的设计。该读出电路是一个大规模混合信号电路 ,集成了时间延迟积分以提高信噪比 ,实现了缺陷像素剔除以提高阵列的可靠性。其他特征包括积分时间可调 ,多级增益 ,双向扫描 ,超采样 ,以及内建电测试。该芯片采用 1 2 μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺。测量得到的总功耗约为 2 4mW ,工作电压 5V。
高峻
鲁文高
刘菁
唐矩
崔文涛
赵宝瑛
陈中建
吉利久
关键词:
时间延迟积分
读出电路
快闪电荷放大结构焦平面读出电路及其读出方法
本发明提供了一种快闪电荷放大结构的焦平面读出电路及其读出方法。在电路结构上,像素单元的列数为N,将N列像素单元电路的输出进行分组,最大的一组包括q<Sub>max</Sub>列,列读出级有q<Sub>max</Sub>个...
高峻
鲁文高
陈中建
吉利久
刘菁
崔文涛
文献传递
一种焦平面阵列读出电路及其读出方法
本发明提供了一种焦平面阵列读出电路,包括两组行选控制电路,两组列选控制电路,两组列读出级,两个视频输出级;像素单元Pixel(i,j)通过两个MOS开关管与两条列线相连,Pixel(i,j)在行选控制L产生的行选择信号r...
鲁文高
陈中建
高峻
刘菁
刘丹
唐矩
崔文涛
吉利久
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