屈晓声
- 作品数：20 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国电子信息产业发展研究院更多>>
- 相关领域：电子电信理学石油与天然气工程自动化与计算机技术更多>>
- 硫化铜薄膜的两次蒸发制备被引量：1
- 1998年
- 在玻璃基底上通过两次蒸发制备ＣｕＸＳ薄膜。硫蒸气在温度１５０—２１０℃时与淀积在衬底上的铜直接反应，生成ＣｕＸＳ薄膜。实验发现１５０℃时生成无定形的ＣｕＳ，呈黄绿色，而在２００℃左右生成多晶状的ＣｕＳ薄膜，颜色为深绿色。对薄膜的光学、电学特性进行了研究。
- 屈晓声韦玮吴洪才
- 关键词：半导体
- 多参数油井剖面测试仪用传感器的研制
- 屈晓声
- 离子注入对Cu_xS薄膜的影响
- 2000年
- 讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响 ,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。经过透射光谱的分析对比证实了确有新的CuxS状态出现。
- 屈晓声李德杰
- 关键词：离子注入相变透射率
- 全文增补中
- 场发射阵列中的分布电阻层被引量：1
- 2000年
- 文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列 (FEA)。讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响。实验结果表明 ,通过引入电阻层 ,器件发射的不均匀性得到较大改善 ,异常发射得到有效的抑制。
- 屈晓声李德杰姚保纶
- 关键词：场发射显示器横向电阻
- 由离子注入引起的Cu_xS薄膜的状态变化
- 2000年
- 讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的 Cux S状态出现。
- 屈晓声李德杰姚保纶
- 关键词：离子注入透射率
- 场发射阵列中聚焦电极制备的自对准技术
- 2000年
- 本文讨论了制造Spindt型聚焦场发射阵列FFEA过程中需要的对准技术 ,提出了具有自对准能力的刻蚀方法 ,满足了聚焦型发射阵列的聚焦极与门极的精确对准 .比较了传统方法与新方法的不同 ,具体论述了整个工艺过程 ,并对制备出的器件进行了SEM观测 ,结果达到了预想的目标 .
- 屈晓声李德杰田宏姚保纶
- 关键词：自对准聚焦电极场发射阵列显示器
- 二次蒸发制备的Cu_xS薄膜结构与特性研究被引量：1
- 1999年
- 在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜。硫在衬底温度160℃～200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应，生成CuxS薄膜。实验发现，生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系，160℃时生成的CuxS呈黄绿色，而在190℃左右生成的多晶状的CuxS薄膜，颜色为深绿色。通过XRD、SEM、TS等方法对样品的组织结构进行了研究和探讨。
- 屈晓声吴洪才
- 关键词：光电性光电半导体
- FFEA中电场及电子轨迹模拟研究被引量：3
- 2000年
- 采用有限差分法 ,对有聚焦极的垂直双门结构的 FEA进行了轴对称三维模拟计算 ,得到发射微尖附近的电位和电子束运动分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦孔以及栅极电位对发射的电子束影响。聚焦电位相对栅极越负 ,聚焦作用越强。减小聚焦孔径影响了大的发散角的电子 ,但对聚焦的作用不如电位改变明显。栅极电位基本不影响电子的轨迹 ,仅改变了发射的电子的多少。结论与实验基本一致。
- 屈晓声李得杰郑崇伟姚保纶
- 关键词：场致发射阵列有限差分法
- 可对多参数测量的硅传感器系统的研制
- 1999年
- 本文介绍了一种新型的可对多个目标测量的硅压力传感器系统的研制，它是把多个硅压力传感器组合成一个完整的传感器系统，用于对多个不同的对象同时完成独力测量。文章具体描述了对压力、流量、干度实施测量的原理、过程以及传感器系统的结构制作。
- 郑建邦屈晓声
- 关键词：传感器两相流压阻效应硅压力传感器多参数测量
- 离子注入对Cu_xS薄膜特性的影响
- 2000年
- 讨论了ＣｕｘＳ薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响，铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上．实验发现氮离子束注入引起了ＣｕｘＳ薄膜中的铜与硫成分的改变，很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大．
- 田宏屈晓声
- 关键词：离子注入相变半导体薄膜改性
