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宫泽祥

作品数：20 被引量：31H指数：3
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文期刊文章

领域

  • 11篇金属学及工艺
  • 5篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇化学工程

主题

  • 13篇离子注入
  • 6篇离子束
  • 3篇离子
  • 3篇硅化物
  • 3篇合金
  • 2篇电子显微学
  • 2篇亚结构
  • 2篇氧化膜
  • 2篇乙烯
  • 2篇四氟乙烯
  • 2篇位错
  • 2篇离子源
  • 2篇聚四氟乙烯
  • 2篇溅射
  • 2篇非晶
  • 2篇分子
  • 2篇分子膜
  • 2篇氟乙烯
  • 2篇高分子
  • 2篇高分子膜

机构

  • 18篇大连理工大学
  • 6篇中国科学院
  • 2篇东北大学
  • 2篇大连海事大学
  • 2篇沈阳工业大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇伯明翰大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇沈阳工业学院
  • 1篇中南大学
  • 1篇中国核工业集...
  • 1篇俄罗斯科学院
  • 1篇三束材料改性...
  • 1篇三束材料改性...

作者

  • 20篇宫泽祥
  • 8篇马腾才
  • 5篇李国卿
  • 4篇史维东
  • 3篇金星
  • 3篇龙振湖
  • 3篇黑祖昆
  • 3篇李晓娜
  • 2篇张庆瑜
  • 2篇徐送宁
  • 2篇张泽
  • 2篇李有宏
  • 2篇黄岩
  • 2篇靳惠明
  • 2篇李铁藩
  • 2篇沈嘉年
  • 2篇李美栓
  • 2篇杨大智
  • 1篇张涛
  • 1篇董闯

传媒

  • 8篇大连理工大学...
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇中国腐蚀与防...
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇真空
  • 1篇Chines...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇原子核物理评...

年份

  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 9篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多元离子束增强沉积在新型薄膜材料上的应用被引量：1
1997年
采用Ｎ＋＋Ｃｒ＋多元离子束增强沉积合成（ＴｉＣｒ）Ｎ膜层，对膜层进行了ＡＥＳ、ＴＥＭ和ＸＲＤ分析．测试了膜基体系的力学性能和电化学性能．与普通物理气相沉积相比，多元离子束增强沉积显示了开发新型薄膜材料的较强潜力．
张涛张通和张荟星马本坤李国卿宫泽祥
关键词：离子束离子束增强沉积
Mo离子注入Al_2O_3的表面改性被引量：2
1995年
研究Ｍｏ离子注入Ａｌ＿２Ｏ＿３表面机械性能的变化及产生变化的原因，结果表明，Ｍｏ离子的注入，在Ａｌ＿２Ｏ＿３表面产生辐射损伤，使表面残余应力、表面硬度及断裂韧性提高；注入剂量Ｄ＞１×１０￣１７ｃｍ￣－２时，随着离子注入剂量增加，表层开始非晶化，导致表面残余应力及硬度下降，而断裂韧性仍继续得到改善。
柴志刚崔相旭张宁刘玉梅史维东宫泽祥
关键词：离子注入表面改性非晶化三氧化二铝钼
离子注入形成YSi_2埋层的电镜研究
1996年
本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ_２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ_２埋层的形成及ＹＳｉ_２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ_２埋层以“［００１］ＹＳｉ_２／／［１１１］Ｓｉ”为取向关系在Ｓｉ基体中择优生长，而且注入法合成的ＹＳｉ_２不存在空位有序结构。
金星宫泽祥李晓娜马腾才杨大智张泽
关键词：离子注入硅化物埋层电子显微镜集成电路
钇离子注入对Co-40Cr(wt%)合金氧化行为的影响被引量：7
1999年
研究了Co－40Cr（wt％）合金在空气中、1000℃下的恒温氧化和循环氧化行为。通过SEM／EDXA等测试手段，对合金表面形成的氧化膜进行了分析．并且，与合金表面离子注入3×1016Y+／cm2和3×1017Y+／cm2后的氧化行为进行了比较．结果表明，注钇和未注钇样品氧化后表面形成的都是纯Cr2O3膜，离子注钇明显改善了合金的氧化性能．其原因主要是稀土钇能以离子或细小氧化物颗粒的形式偏聚于Cr2O3晶界，通过阻碍氧化膜中Cr3＋阳离子向外扩散，降低了氧化膜的生长速率．同时，通过阻碍氧化膜／合金界面附近"kirkendall"空洞的形成，增强了氧化膜与合金基体之间的结合强度，提高了氧化膜的粘附性及合金的抗氧化性能．
靳惠明李铁藩李美栓沈嘉年宫泽祥张秀红
关键词：氧化膜离子注入
钇离子注入改善Co-40Cr合金表面氧化膜粘附性的作用被引量：2
1999年
用声发射（AcousticEmission）方法及扫描电镜SEM／EDXA，对Co－40Cr合金在1000℃空气中20h恒温氧化后表面氧化膜的开裂和剥落进行了研究．并与该合金表面离子注入3×1016Y+／cm2和3×1017Y+／cm2后的氧化结果进行了比较．结果表明，离子注钇后极大地改善了合金表面氧化膜的抗开裂和抗剥落性能．此外，用声发射方法能够间接地测量出氧化膜／合金界面处“预存缺陷”（pre-existingdefects）的分布情况．离子注钇改善合金表面氧化膜的粘附性与注钇后减小了界面处“预存缺陷”的数目及平均大小有关．
靳惠明李铁藩李美栓沈嘉年宫泽祥徐炳辉
关键词：声发射离子注入钴合金
Al 离子注入 Al-SiO_2 的研究被引量：1
1997年
在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．
宫泽祥苏晓维张庆瑜
关键词：离子注入结合力二氧化硅
氩离子束溅射沉积PTFE高分子膜被引量：5
1996年
用氩离子束溅射聚四氟乙烯靶材，在黄铜上沉积聚四氟乙烯薄膜．用ＸＰＳ和ＩＲＳ分析方法确定了聚四氟乙烯高分子膜的存在，并依据沉积膜形成过程对沉积膜与靶材在ＩＲＳ谱图上的差异给予了解释．结果表明。
李有宏宫泽祥龙振湖纪纯新
关键词：离子束溅射真空沉积聚四氟乙烯
离子束混合制备非晶Sm-Fe-Zr合金薄膜被引量：1
1997年
采用离子束混合技术制备非晶Sm—Fe－Zr合金薄膜，在Sin的含量为x＝400，300，200m／g的Sm—Fe多层薄膜中，注入能量为60KeV，剂量为1×1017ion／cm2的Zr＋，研究非晶形成条件及合金薄膜的磁性能．实验发现：三种成分配比的样品在Zr＋注入后磁性能皆发生明显的变化．X＝400mg／g样品没有形成非晶，其主相为SmFe5；x＝300，200mg／g样品形成非晶。
徐送宁孙树滋宫泽祥马腾才
关键词：离子束磁性合金
电子束在动态混合沉积TiN中的作用被引量：2
1994年
在三束动态混合离子注入机中，研究了电子束对动态混合沉积ＴｉＮ薄膜的硬度、结合力和膜层结构的影响．结果表明，电子束增强了离子束的反应活力，保持了混合过程中温度的均匀性，整个沉积膜层中形成了均匀分布的细纤维状ＴｉＮ晶粒，显著提高了膜层的韧性和结合力。
李国卿刘向红宫泽祥马腾才黑祖昆翟光玉朱戈
关键词：电子束氮化钛镀膜
三束同步混合注入装置的研制、调试与初步应用
1992年
本文扼要地介绍了三束同步混合注入装置,给出离子束源、原子束源和电子束源的设计和调试结果,还给出三束动态混合调试结果及初步开展的动态混合离子注入工艺开发与应用情况。三束同步处理和电子束的活化作用是该装置的主要特点。
刘明哲钟溥邢大中卢大伦高玉马腾才张国炳龙振湖史维东宫泽祥
关键词：离子源离子注入
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