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孟凡军

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：聊城大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇制备金属
  • 2篇时间常数
  • 2篇微阵列
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米阵列
  • 2篇金属
  • 2篇金属晶体
  • 2篇晶体
  • 2篇ZNO晶体
  • 1篇电子转移
  • 1篇核酸碱基

机构

  • 3篇聊城大学

作者

  • 3篇刘继锋
  • 3篇孟凡军
  • 1篇周美娟
  • 1篇赵静静
  • 1篇张伟
  • 1篇李彭
  • 1篇张翀
  • 1篇王怀生

传媒

  • 1篇分析化学

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法
本发明提出了一种以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法，即运用ZnO晶体阵列作为模型，用光刻胶将其淹没，待光刻胶稳固后，溶掉ZnO，在溶掉ZnO后的孔洞中电沉积金属晶体，获得的金属晶体具有ZnO的形貌，即六棱柱状...
刘继锋孟凡军
文献传递
核酸碱基自组装膜表面电子转移性质研究被引量：1
2013年
巯基丙酸(MPA)、Mg2+以及含不同碱基的核苷酸(NTMP)(鸟苷酸GMP、腺苷酸AMP、尿苷酸UMP、胞苷酸CMP)逐步吸附到金电极上,制备末端为核酸碱基的组装膜,利用循环伏安(CV)、计时安培(CA)以及电化学交流阻抗技术(EIS)进行表征。结果表明,电子传递速率遵循以下顺序逐渐降低:GMP/Mg2+/MPA/Au>AMP/Mg2+/MPA/Au>UMP/Mg2+/MPA/Au>CMP/Mg2+/MPA/Au,量子化学计算多层膜组合体Mg-NTMP的能级差(ΔEgap=ELUMO-EHOMO)以一定的顺序增加:ΔEMg-GMP(0.89 eV)<ΔEMg-AMP(1.40 eV)<ΔEMg-UMP(1.57 eV)<ΔEMg-CMP(1.64 eV)。这说明末端为核酸碱基的多层组装膜表面的电子转移过程中,组合体Mg-NTMP的能级差ΔEgap决定电子穿越核酸碱基的速率。
张伟孟凡军周美娟李彭赵静静王怀生刘继锋张翀
关键词：核酸碱基电子转移
以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法
本发明提出了一种以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法，即运用ZnO晶体阵列作为模型，用光刻胶将其淹没，待光刻胶稳固后，溶掉ZnO，在溶掉ZnO后的孔洞中电沉积金属晶体，获得的金属晶体具有ZnO的形貌，即六棱柱状...
刘继锋孟凡军
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