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文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 16篇石墨
  • 16篇石墨烯
  • 12篇电极
  • 11篇衬底
  • 9篇金属
  • 7篇场效应
  • 6篇图形化
  • 6篇金属电极
  • 5篇场效应管
  • 4篇电子束曝光
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米带
  • 4篇绝缘衬底
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光刻
  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
  • 2篇电路
  • 2篇亚胺
  • 2篇掩膜

机构

  • 20篇中国科学院

作者

  • 20篇王浩敏
  • 20篇孙秋娟
  • 20篇谢晓明
  • 19篇谢红
  • 12篇吴天如
  • 8篇江绵恒
  • 7篇刘晓宇
  • 6篇陈吉
  • 6篇张学富
  • 4篇邓联文
  • 4篇康晓旭
  • 2篇唐述杰
  • 2篇宋阳曦
  • 2篇卢光远
  • 1篇高波

年份

  • 1篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 6篇2013
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法
本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法,所述单元至少包括衬底;所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极;所述底层石墨烯及所述顶层石...
王浩敏谢红吴天如孙秋娟王慧山宋阳曦刘晓宇唐述杰谢晓明
文献传递
一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法
本发明提供一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法,所述方法至少包括:1)提供一柔性衬底,将所述柔性衬底粘附至一硬性衬底,并在所述柔性衬底上形成石墨烯导电沟道;2)采用电子束曝光图形化形成源、漏电极图形,沉积金属并剥离在所述石...
王浩敏谢红王慧山孙秋娟陈吉张学富吴天如谢晓明江绵恒
薄膜图形化方法
本发明提供一种薄膜图形化方法,该方法至少包括以下步骤:提供一非金属衬底,并在该非金属衬底上形成光刻胶;进行光学曝光,将预设图形转移至该光刻胶上;在步骤2)之后获得的结构上沉积金属层;然后去除光刻胶并剥离,获得所需金属图形...
孙秋娟王浩敏左青云康晓旭谢红邓联文谢晓明江绵恒
文献传递
一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法
本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法,包括步骤:首先,提供衬底,在所述衬底上形成石墨烯;然后,在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜,;接着,定义源、漏电极区域,形成金属催化层,并在氢气气氛中进行退...
王浩敏谢红王慧山孙秋娟卢光远陈吉张学富吴天如谢晓明江绵恒
文献传递
一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法
本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法,该石墨烯场效应器件包括:具有栅电极沟槽的衬底;形成于所述栅电极沟槽中的栅电极;Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介电薄膜层,位于所述栅电极沟...
王浩敏谢红孙秋娟康晓旭刘晓宇谢晓明
文献传递
石墨烯与高温超导材料的界面接触研究
孙秋娟谢晓明李巧高波张学富陈吉吴天如邓联文胡照文王浩敏
石墨烯场效应管的制作方法
本发明提供一种石墨烯场效应管的制作方法,包括:提供表面形成有二氧化硅层的半导体衬底;形成浮动电势交流介电泳结构:至少一第一子电极的第一电极部、至少包括一第二子电极和子电极连接线的第二电极部和至少一第三子电极的第三电极部,...
王浩敏谢红孙秋娟王慧山吴天如谢晓明
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一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法
本发明提供一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法,所述电子束曝光图形化方法包括以下步骤:1)提供一绝缘衬底;2)在所述绝缘衬底上旋涂电子束光刻胶;3)在所述电子束光刻胶上表面形成金属薄膜;4)进行电子束曝光得到所需光刻图形...
谢红王浩敏孙秋娟刘晓宇谢晓明
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薄膜图形化方法
本发明提供一种薄膜图形化方法,该方法至少包括以下步骤:提供一非金属衬底,并在该非金属衬底上形成光刻胶;进行光学曝光,将预设图形转移至该光刻胶上;在步骤2)之后获得的结构上沉积金属层;然后去除光刻胶并剥离,获得所需金属图形...
孙秋娟王浩敏左青云康晓旭谢红邓联文谢晓明江绵恒
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一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法
本发明提供一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法,所述电子束曝光图形化方法包括以下步骤:1)提供一绝缘衬底;2)在所述绝缘衬底上旋涂电子束光刻胶;3)在所述电子束光刻胶上表面形成金属薄膜;4)进行电子束曝光得到所需光刻图形...
谢红王浩敏孙秋娟刘晓宇谢晓明
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共2页<12>
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