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孙汪典

作品数:34 被引量:186H指数:8
供职机构:暨南大学理工学院物理学系更多>>
发文基金:广东省自然科学基金广州市科技攻关项目广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域:理学电子电信环境科学与工程化学工程更多>>

文献类型

  • 33篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 19篇理学
  • 13篇电子电信
  • 4篇环境科学与工...
  • 3篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇生物学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 9篇ZNO薄膜
  • 7篇溶胶
  • 6篇多晶
  • 6篇溅射
  • 6篇光催化
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 6篇催化
  • 6篇X
  • 5篇射频磁控
  • 5篇发光
  • 5篇苯酚
  • 5篇ZNS
  • 4篇多晶薄膜
  • 4篇溶胶-凝胶
  • 4篇射频磁控溅射
  • 4篇降解
  • 4篇降解苯酚
  • 4篇光催化降解
  • 4篇光催化降解苯...

机构

  • 34篇暨南大学
  • 1篇广东工业大学
  • 1篇景德镇陶瓷学...
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国广州分析...

作者

  • 34篇孙汪典
  • 9篇刘彭义
  • 8篇唐振方
  • 8篇王英连
  • 5篇苗银萍
  • 4篇任思雨
  • 4篇李莹
  • 3篇刘玉华
  • 3篇朱汉明
  • 3篇叶勤
  • 2篇张丽丽
  • 2篇张葡青
  • 1篇赵丽特
  • 1篇金懿
  • 1篇凌育远
  • 1篇叶海
  • 1篇刘卓健
  • 1篇唐新桂
  • 1篇蒋力立
  • 1篇卢希龙

传媒

  • 10篇暨南大学学报...
  • 6篇真空科学与技...
  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇传感器世界
  • 1篇传感器技术
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇工业催化
  • 1篇化学工程
  • 1篇表面技术
  • 1篇发光学报
  • 1篇环境污染治理...
  • 1篇真空
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇材料工程
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇压电与声光
  • 1篇广东省真空学...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 7篇2006
  • 4篇2005
  • 5篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Zn_(1-x)Mg_xS薄膜的磁控溅射制备及其性能研究
2006年
利用双靶磁控溅射法,在普通石英玻璃基底上成功制备出II-VI族化合物固溶体半导体Zn1-xMgxS多晶薄膜,并用X射线能量色散谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见(UV-V is)分光光度计、荧光分光光度计(PL)等测试手段表征了多晶薄膜的成份、表面形貌、晶体结构和光学性质。结果表明:磁控溅射法制备的Zn1-xMgxS多晶薄膜具有立方和六方相混晶相结构,晶粒生长均匀,薄膜在波长小于280nm的紫外区有强烈的吸收,在可见光区紫光范围有一个强的发光峰,而且随着Mg含量的增加,强度增加,吸收边和发光峰的蓝移也增加。蓝移说明了带隙的展宽,其禁带宽度大约从3.6 eV增至4.4 eV。较高的结晶质量和发光特性显示了它是一种制作短波光电器件和紫外探测器的理想材料。
孙汪典苗银萍朱祯
关键词:磁控溅射紫外吸收光致发光
光纤ZnO薄膜的制备及光催化性能研究被引量:3
2005年
实验利用射频磁控溅射镀膜工艺,分别在光纤和石英玻璃上成功制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对薄膜进行了测试分析,并对其光催化降解苯酚的性能进行了对比测试。结果表明,该薄膜具有良好的C轴取向性,光致发光峰分别位于362nm、421nm和486nm附近,且随着薄膜样品晶粒的减小而出现蓝移,光纤上ZnO薄膜的光催化能力是以石英玻璃为基底的ZnO薄膜的193倍,光催化效果显著。
王英连刘玉华任思雨孙汪典
关键词:石英玻璃镀膜工艺ZNO薄膜C轴取向蓝移射频磁控溅射
Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体ZnS_(1-x)Te_x薄膜的俄歇电子能谱化学位移实验研究被引量:1
1998年
对分子束外延(MBE)生长的Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ZnS1-xTex(0≤x≤1)单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究,发现其中各元素俄歇峰的化学位移随x的增大而非线性减小的变化规律。
孙汪典
关键词:俄歇电子能谱化学位移半导体
分子束外延ZnS_(1-x)Te_x单晶薄膜特性分析被引量:1
1999年
通过精确的测量发现,分子束外延( M B E) 生长的Ⅱ- Ⅵ族三元合金碲硫锌( Zn S1 - x Te x)(0 ≤x ≤1) 半导体单晶薄膜中 Zn 和 Te 修正的俄歇参数α′随 x 增大近似线性增加,且前者大于后者;同时还发现 Te 4d3/2 和 Te 4d5/2 光电子谱峰间距随 x
孙汪典
固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜的制备及发光特性研究被引量:1
2005年
ZnS1 xTex薄膜具有高效的发光特性。样品可观测到强烈的光致发光,随着Te含量x的不同,发射光的颜色从深蓝到黄变化,使其成为制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1 xTex多晶薄膜真空蒸发制备的情况,并用X射线衍射仪对淀积在玻璃、石英玻璃和单晶硅衬底上的多晶薄膜进行结构分析,用紫外可见分光光度计、荧光光谱分析仪对样品的光吸收和发光性质进行研究。分析表明,该薄膜的结构符合闪锌矿的特征。紫外可见吸收光谱显示该样品在紫外光区有一个强烈的吸收峰,可见光区的吸收很微弱。光致发光光谱表明,样品在可见光区有一个以470nm为中心的发射峰,发射光肉眼可见。该多晶薄膜基本保持了单晶薄膜的紫外吸收、光致发光等良好特性。
李莹孙汪典唐振方
关键词:光致发光性能
多晶纳米ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及光催化性能研究被引量:3
2006年
在石英玻璃衬底上用溶胶-凝胶法制备了纳米级的多晶ZnO薄膜,通过XRD、AFM和UV-V is吸收光谱对薄膜进行了表征;以苯酚作为被降解的物质,研究了退火温度、降解温度、苯酚溶液的初始浓度和空气流量对ZnO薄膜光催化降解苯酚性能的影响,以及其光催化活性的失活与恢复。实验结果证明,溶胶-凝胶法制备的纳米级ZnO薄膜光催化效果显著,并且可以再生。
孙汪典王英连
关键词:ZNO薄膜溶胶-凝胶法光催化
ZnMgS多晶薄膜的结构和光学性质被引量:2
2006年
本文介绍了对真空蒸发制备的多组ZnxMg1-xS多晶薄膜的研究,用X射线能量色散谱仪(EDS)测定几组ZnxMg1-xS薄膜样品的成分后,由原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明:薄膜晶体生长形貌和结晶性良好,为闪锌矿结构;对ZnxMg1-xS薄膜的紫外吸收分析表明,薄膜在345 nm^275 nm处形成陡峭的吸收边,在波长小于275 nm的紫外区有强烈的吸收;光致发光谱中发光中心波长在可见光区紫光范围约为401 nm^395 nm之间。同时随着Mg含量的增加,样品的(111)峰位向大角度方向移动,吸收边和发光峰的蓝移也增加,蓝移说明了带隙的展宽。显示了其作为短波光电器件材料和拓展紫外发光器件的研制领域的潜力。
苗银萍孙汪典朱汉明
关键词:结构和光学性质多晶薄膜
XPS定量测量三元合金ZnS_(1-x)Te_x薄膜组分x的研究被引量:1
1999年
利用XPS定量测量分子束外延生长的三元合金碲硫锌ZnS1-xTex(0
孙汪典
关键词:光电子能谱双晶衍射
射频磁控溅射ZnO多晶薄膜的制备及其荧光光谱被引量:5
2006年
用射频磁控溅射方法在未进行人为加热的石英玻璃衬底上,生长了良好c轴择优取向的ZnO多晶薄膜。研究了该ZnO薄膜的晶粒大小与其荧光光谱的关系,发现369 nm的本征峰和406 nm的缺陷峰随着薄膜晶粒的增大晶界应力的增加而出现红移,但469 nm的缺陷峰峰位却基本保持不变,并对各峰的形成和强度大小的变化规律作出了相应的解释。
孙汪典任思雨刘彭义
关键词:射频磁控溅射晶粒荧光光谱红移
基于MATLAB的实验信号处理被引量:10
2001年
利用MATLAB软件包中的信号处理部分 ,用小波和滤波器方法为实验数据去噪声 。
李莹孙汪典
关键词:小波滤波器噪声MATLAB语言信号处理
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