公共文化服务平台

孙增辉: 作品数：19 被引量：15H指数：3; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

2.5维光子晶体面发射激光器: 一种2.5维光子晶体面发射激光器，包括：一晶片；一第一DBR层，该DBR层制作在晶片上；一下包层，下包层制作在第一DBR层上；一有源层，该有源层制作在下包层上，该有源层上通过刻蚀工艺形成周期性的光子晶体结构；一上包层，该...; 陈弘达孙增辉; 文献传递

利用光子晶体提高InP基LED出光效率被引量：2: 2006年; 应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高.; 杜伟许兴胜孙增辉鲁琳高俊华赵致民王春霞陈弘达; 关键词：光子晶体电子束曝光反应离子束刻蚀

与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法: 一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的硅光电探测器，其特征在于，其中包括：一个p－型半导体衬底；一个n型阱，该n型阱制作在衬底上；一个6条叉指状的P+型扩散区，该6条叉指状的P<...; 毛陆虹李伟陈弘达高鹏孙增辉陈永权; 文献传递

近红外波段二维环形光子晶体: 2005年; 提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs上构成.发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱显示有一个完全带隙存在,带宽-带隙中心比率高达11%.; 许兴胜张晓帆孙增辉陈弘达张道中; 关键词：完全带隙

CMOS兼容光电单片接收机的模拟与设计被引量：3: 2003年; 设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路 ,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器 .它采用0 6μmCMOS工艺 ,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi project wafer)进行流水 .其中光电探测器的工作波长为 850nm ,响应度为 0 2A/W ,接收灵敏度为 - 1 6dBm ,带宽为 80 0MHz ,因此适用于VSR(very short reach)系统 .前置放大器采用电流模反馈放大器 ,主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平 .通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟 ,分析了电路的限制因素 ,并提出了相应的改进方法 .; 李炜毛陆虹陈弘达孙增辉高鹏陈永权; 关键词：单片集成光电探测器

Co-Design of Monolithically Integrated Photo-Detector and Optical-Receiver: 2004年; A behavioral model of the photodiode is presented.The model describes the relationship between photocurrent and incident optical power,and it also illustrates the impact of the reverse bias to the variation of the junction capacitance.According to this model,the photodiode and a CMOS receiver circuit are simulated and designed simultaneously under a universal circuit simulation environment.; 高鹏陈弘达毛陆虹贾九春陈永权孙增辉; 关键词：CO-DESIGN

10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网的应用: 本文介绍10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网技术(10Gigabit Erthernet Technology)的应用.万兆以太网使用以太网结构实现10.000Gbit/s点对点传输,距离可达到40Km,使以太网应...; 周毅陈弘达左超贾久春申荣铉孙增辉; 关键词：以太网传输介质光收发模块; 文献传递

2.5维光子晶体面发射激光器: 一种2.5维光子晶体面发射激光器，包括：一晶片；一第一DBR层，该DBR层制作在晶片上；一下包层，下包层制作在第一DBR层上；一有源层，该有源层制作在下包层上，该有源层上通过刻蚀工艺形成周期性的光子晶体结构；一上包层，该...; 陈弘达孙增辉; 文献传递

CMOS结构的硅基发光器件: 本发明一种CMOS结构的硅基发光器件，其特征在于，包括：一p型衬底；一n+区，该n+区为圆形，制作在p型衬底上；一环形n+区，该环形n+</Su...; 陈弘达孙增辉毛陆虹唐君高鹏崔增文; 文献传递

三维FDTD方法计算光子晶体薄板结构: 2004年; 利用三维时域有限差分方法计算了具有不同介电常数的光子晶体薄板结构,得到了这些结构的带隙的数值结果,并作了分析;这些结果对于设计光子晶体器件有着指导作用。; 鲍振武张晓帆陈弘达孙增辉许兴胜; 关键词：时域有限差分方法介电常数带隙