您的位置： 专家智库 > >

孙佳胤

作品数：21 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家杰出青年科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇衬底
  • 6篇氮化镓
  • 6篇埋层
  • 5篇SOI
  • 4篇晶体管
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘埋层
  • 4篇绝缘体
  • 4篇绝缘体上硅
  • 4篇半导体
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 4篇衬底材料
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 3篇氧化物电荷
  • 3篇图形化
  • 3篇热应力
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体质量

机构

  • 21篇中国科学院

作者

  • 21篇孙佳胤
  • 20篇王曦
  • 17篇陈静
  • 8篇张恩霞
  • 7篇武爱民
  • 6篇张正选
  • 3篇贺威
  • 3篇钱聪
  • 2篇欧欣
  • 1篇金波
  • 1篇刘卫
  • 1篇林成鲁
  • 1篇陈猛
  • 1篇易万兵
  • 1篇朱建军
  • 1篇张国强
  • 1篇王建峰
  • 1篇杨辉
  • 1篇杨志峰

传媒

  • 3篇功能材料与器...
  • 1篇功能材料

年份

  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 6篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 21 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
2007年
采用有限元方法，通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底，能有效减少异质外延的晶格失配，但是单从热失配的角度，由于引入了热膨胀系数（CET）更小的埋层SiO2，SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力，我们结合微机电系统（MEMS）的制造工艺，用深反应离子刻蚀（DRIE）的方法，借助于SOI材料自停止刻蚀的优势，将衬底硅和埋氧去除，使得SOI的超薄顶层硅部分悬空，形成一种新型的SOI衬底。模拟结果表明，这种新型SOI衬底可以将GaN外延层中的热应力降低20％左右。
王曦孙佳胤武爱民陈静王曦1
关键词：GANSOI热应力MEMS
抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触...
张恩霞张正选王曦陈静孙佳胤
文献传递
基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
2007年
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用。薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力。
孙佳胤陈静王曦王建峰刘卫朱建军杨辉
关键词：氮化镓
发光二极管的制作方法
本发明涉及一种发光二极管的制作方法，包括下步骤：采用具有六方晶格的外延衬底；在外延衬底表面生长发光层；采用导电支撑衬底；将导电支撑衬底同外延衬底表面的发光层键合；除去外延衬底。本发明的优点在于，采用具有六方晶像的外延衬底...
陈静孙佳胤王曦
文献传递
一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法
本发明涉及一种III族氮化物材料的生长方法，其特征在于包括如下步骤：选择一悬臂梁，所述悬臂梁具有一固定端和一自由端；在悬臂梁的上表面生长缓冲层，在缓冲层的表面生长III族氮化物层。本发明的优点在于，采用悬臂梁作为生长II...
陈静王曦孙佳胤武爱民
文献传递
基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注...
张恩霞张正选王曦孙佳胤钱聪贺威
文献传递
一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边...
孙佳胤陈静王曦
文献传递
GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究
GaN材料是目前所有Ⅲ—Ⅴ族氮化物中研究最多的材料之一。该材料属宽禁带半导体，直接带隙3.4eV，在长寿命、低能耗、短波长半导体发光二极管、激光二极管、紫外探测器以及高温微电子器件等方面有广阔的应用前景。推动GaN材料的...
孙佳胤
关键词：柔性衬底氮化物宽禁带半导体
文献传递
基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注...
张恩霞张正选王曦孙佳胤钱聪贺威
文献传递
新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
采用有限元方法,通过 ANSYS 软件模拟了体硅衬底上和 SOI 衬底上生长的 GaN 外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况．模拟结果表明 SOI 衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但...
王曦孙佳胤武爱民陈静王曦
关键词：GANSOI热应力MEMS
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0