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娄本超

作品数:69 被引量:62H指数:4
供职机构:中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国工程物理研究院科技发展基金中国工程物理研究院预先研究基金更多>>
相关领域:核科学技术理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 32篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 22篇核科学技术
  • 6篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇水利工程

主题

  • 41篇中子
  • 24篇中子发生器
  • 20篇离子
  • 14篇中子源
  • 11篇混合离子
  • 11篇加速器
  • 6篇电压
  • 6篇束流
  • 6篇全电压
  • 6篇中子产额
  • 6篇中子束
  • 6篇中子照相
  • 6篇离子加速器
  • 6篇空间电荷效应
  • 6篇加速电压
  • 6篇斑点状
  • 6篇产额
  • 5篇四极透镜
  • 5篇聚束
  • 4篇点源

机构

  • 64篇中国工程物理...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇兰州大学

作者

  • 64篇娄本超
  • 38篇李彦
  • 36篇胡永宏
  • 32篇唐君
  • 27篇何小海
  • 22篇张钦龙
  • 20篇刘湾
  • 18篇周长庚
  • 18篇伍春雷
  • 17篇薛小明
  • 15篇李艳
  • 15篇牟云峰
  • 14篇柯建林
  • 14篇黄瑾
  • 14篇李小飞
  • 9篇刘猛
  • 8篇祖秀兰
  • 5篇王胜
  • 5篇刘斌
  • 4篇唐彬

传媒

  • 7篇核电子学与探...
  • 5篇强激光与粒子...
  • 3篇核技术
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇第三届全国核...
  • 1篇物理
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇电子设计工程
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇第十三届高功...
  • 1篇2005年全...
  • 1篇中国核学会2...

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 7篇2017
  • 13篇2016
  • 4篇2015
  • 8篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
69 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MOSFET的损耗分析与工程近似计算被引量:10
2011年
根据MOSFET的简化模型,分析了导通损耗和开关损耗,通过典型的修正系数,修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗,计算结果表明该电源中工况下的MOSFET功率损耗比较小,可以长时间可靠稳定的工作。
罗四海娄本超唐君李彦
关键词:MOSFET开关损耗修正系数
一种强流四极透镜离子加速管
本实用新型提供了一种强流四极透镜离子加速管,所述加速管用于静电高压型离子加速器。本实用新型的强流四极透镜离子加速管采用模块化结构设计,每个强流四极透镜离子加速管模块的加速电压250kV左右,一定数量的强流四极透镜离子加速...
何小海李彦薛小明娄本超李小飞唐君牟云峰胡永宏
文献传递
一种扫描靶
本实用新型提供了一种扫描靶,所述扫描靶是用于加速器中子源的扫描靶。在加速器完成氘或氘氚混合离子束的加速之后,利用扫描磁场将离子束快速均匀地展开成直线型长条束斑,展开长度超过束斑直径几十倍,然后轰击到一个移动靶上,在平行于...
李彦何小海唐君娄本超薛小明牟云峰李小飞胡永宏
文献传递
正弦波速调管聚束理论及其应用
2004年
以正弦波速调管聚束理论为基础,详尽阐述了速调管聚束的具体实现方法,给出了相应的计算公式。实际应用该法,为NS-200加速器设计了聚束装置。
祖秀兰杨海素娄本超周长庚熊日恒
关键词:加速器正弦波速调管
小型DD中子发生器及其应用
小型DD中子发生器在中子活化分析、探测器标定、辐照等多个方面有着广泛的应用前景。本文主要介绍核物理与化学研究所研制的一系列小1型DD中子发生器的现状及其在工业物料分析、探测器标定等方面的应用,并对未来发展进行了展望。
柯建林刘百力娄本超胡永宏伍春雷言杰郑普朱通华安力刘湾刘猛张钦龙
200kV高压开关电源研制被引量:9
2011年
采用软开关电源技术和叠层式倍压器方法,研制成一台200 kV高压发生器,介绍了其工作原理和结构。高压开关电源主要由功率变换器、中频升压变压器和高压倍压器组成。其主要技术指标为:高压200kV,输出电流10 mA,工作频率20 kHz,电压稳定度1%,纹波系数2%,连续工作时间为8 h。测试结果表明,该高压开关电源的性能指标达了设计要求。
周长庚李彦娄本超伍春雷胡永宏
关键词:功率变换倍压
用于中子照相的定向高通量中子发生器设计
2015年
近几年,在无损探伤领域,中子照相技术发展非常迅猛,对中子发生器提出了体积小、寿命长、通量高、准直比高的技术要求。为此设计了一台用于快中子照相的定向高通量小型中子发生器,采用矩形结构潘宁离子源。引出的具有一定长度和流强的带状氘离子或氘氚混合离子束,在离子源与靶构成的同轴高压电场加速下,轰击对应的长形定向自成靶,发生氘氘或者氘氚反应,在靶轴线方向产生高通量、高准直比的快中子束,中子产额5×1011n/s。模拟结果表明,成像屏上的中子注量提高了两个数量级,不均匀度小于5×10-3,满足中子照相对高准直比和高通量的要求,因此成像质量高,照相时间短,工作效率高。解决了现有中子发生器体积大、有效中子通量低和靶寿命短的问题,可用于构建移动式快中子照相系统。
唐君何小海娄本超曹超张钦龙
关键词:中子发生器高通量中子照相
一种等效微焦靶
本发明提供了一种等效微焦靶,所述装置在加速器将氘或氘氚混合离子束加速到额定能量后,采用四极透镜将大直径截面的束斑,在一个平行于靶表面的方向上,聚焦至所需要的微焦斑尺寸,而在其垂直方向上散焦展开到一定长度,形成扇形离子束。...
李彦何小海娄本超唐君薛小明牟云峰李小飞胡永宏
文献传递
氘离子轰击钼靶的二次电子发射系数测量被引量:2
2012年
设计了一套二次电子测量装置,采用间接测量法,利用中子发生器产生的氘离子束,对氘离子束轰击下钼靶的二次电子发射系数进行了实验研究,获得了钼的二次电子发射系数随不同入射氘离子能量的变化趋势,氘离子束能量为170 keV时的二次电子发射系数最大,约为2.33。
刘猛柯建林黄刚梁建华刘湾娄本超卢彪
关键词:钼靶
中子发生器束流传输光学系统研究及模拟计算被引量:2
2009年
束流传输系统是中子发生器研制、调试和技改等工作顺利进行的重要依据。为此开展了中子发生器束流传输系统研究工作,阐述了传输系统光学特性和组成。以ns-200中子发生器为代表实例,详尽地分析了传输系统的组成和各光学透镜的特性。根据LEADS软件要求,生成该器束流传输系统数据输入卡,调用软件相应各光学元件计算模块,进行了模拟计算,给出了束流传输包络图。束流传输模拟计算结果与原设计要求基本一致。
祖秀兰周长庚娄本超李艳李彦雄日恒
关键词:中子发生器束流传输模拟计算
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