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姜唯

作品数：1 被引量：9H指数：1
供职机构：西安交通大学电气工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电压
  • 1篇开关
  • 1篇火花放电
  • 1篇放电
  • 1篇高电压
  • 1篇高能

机构

  • 1篇宁夏大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇邱毓昌
  • 1篇谢建民
  • 1篇曾建成
  • 1篇姜唯

传媒

  • 1篇高电压技术

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
半导体碳化硅在伪火花放电高能开关中的应用被引量：9
2002年
伪火花放电开关 (PSS)的寿命主要由大电流下的电极烧损决定 ,其机理为金属电极产生的蒸汽电弧改变了原有均匀辉光放电所致。半导体碳化硅 (Si C)可以维持伪火花开关电极表面的均匀辉光放电 ,抑制电弧产生 ,使电极烧损大大减小 ,还解决了开关在小电流下奇异放电问题 (电流猝灭和暂态阻抗降低 )。简述了金属钼电极与 Si C电极的放电过程和特点后简要分析了 Si C电极抑制电弧的原理 。
谢建民邱毓昌姜唯曾建成
关键词：高电压
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