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姚飞: 作品数：23 被引量：32H指数：5; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

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重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响被引量：5: 2007年; 硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.; 姚飞薛春来成步文王启明; 关键词：SIGE材料

带胶剥离工艺粘附性实验研究被引量：1: 2005年; 带胶剥离是微电子工艺的常见工艺步骤。文章通过对带胶剥离的样品进行退火实验,研究了电极蒸发金属和不同基底的粘附特性。实验表明,带胶剥离工艺制备的电极,其金属与衬底的粘附性差,退火过程产生气泡,严重影响了器件的特性。蒸发温度、蒸发室真空度,以及基片表面的清洁度与气泡产生有密切的关系。从这几点入手,提出了相应的改进方法。; 姚飞薛春来成步文; 关键词：热蒸发退火粘附

制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法: 一种制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法，包括：在轻参杂硅衬底上依次生长子收集区、收集区、基区及发射区，形成制作器件的基片；采用干法刻蚀的方法，在器件基片的表面相隔预定间距刻蚀至收集区，形成子单元台面；在子单元台...; 薛春来成步文姚飞王启明; 文献传递

高频大功率SiGe/Si HBT的设计: 2006年; 详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。; 薛春来成步文姚飞王启明; 关键词：SIGE HBT 高频大功率

SiGe/Si OEIC光接收机的研制: 近年，光通信技术发展日新月异，光通信正逐渐将其触角伸向了传统电通信占主导的短距离通信范围。将功能各异的光学器件集成到成熟的Si基微电子工艺中，形成Si基光电子集成电路(OEIC)，是光通信研究的重要方向。Si基OEIC光...; 姚飞; 关键词：光接收机

应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化: 2007年; 高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.; 薛春来时文华成步文姚飞王启明; 关键词：SIGE HBT 高频大功率

制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法: 一种制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法，包括：在轻参杂硅衬底上依次生长子收集区、收集区、基区及发射区，形成制作器件的基片；采用干法刻蚀的方法，在器件基片的表面相隔预定间距刻蚀至收集区，形成子单元台面；在子单元台...; 薛春来成步文姚飞王启明; 文献传递

Design and Fabrication of Power Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications: 2006年; A multi-finger structure power SiGe HBT device （with an emitter area of about 166μm^2） is fabricated with very simple 2μm double-mesa technology. The DC current gain β is 144.25. The B-C junction breakdown voltage reaches 9V with a collector doping concentration of 1 × 10^17cm^-3 and a collector thickness of 400nm. Though our data are influenced by large additional RF probe pads, the device exhibits a maximum oscillation frequency fmax of 10.1GHz and a cut-off frequency fτ of 1.8GHz at a DC bias point of IC=10mA and VCE = 2.5V.; 薛春来成步文姚飞王启明; 关键词：HBT POWER WIRELESS

衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响被引量：3: 2006年; 使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变衬底的电导率、隔离层的厚度以及隔离层的材料、衬底引入硅锗合金层等模拟,分析了电感性能的变化.结果表明随着电导率的减小,电感的性能会增强,但改善的幅度会逐渐减小.厚的SiO2隔离层有利于减小衬底损耗,但是会给工艺增加难度.采用低k材料作为隔离层是改善电感性能的一种比较理想的方法.; 薛春来姚飞成步文王启明; 关键词：硅基螺旋电感品质因子

影响集成电感性能的关键因素被引量：5: 2006年; 片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件。高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标。衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素。文中实例为证,在尽量消除衬底损耗和减小金属损耗条件下,得出它们并不是片上集成电感的决定性限制因素。本文从电感的定义出发,得出电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是集成电感不能获得高Q值的决定因素。并通过螺旋电感的模拟计算和结合已有的实验,对此论点进行了论证。; 姚飞成步文王启明; 关键词：螺旋电感品质因子磁通量