国凤云
- 作品数：26 被引量：29H指数：3
- 供职机构：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程机械工程更多>>
- Hf:Er:LiNbO<Sub>3</Sub>晶体及其制备方法
- Hf:Er:LiNbO<Sub>3</Sub>晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学...
- 孙亮徐玉恒国凤云吕强于海涛李洪涛蔡伟赵连城
- 文献传递
- 基于TiO2纳米棒阵列的高效自供能紫外探测器
- 本文利用一种很容易实现的一步水热法在较低温度下直接在FTO导电玻璃上生长了TiO2纳米棒阵列,并以这种薄膜作为光阳极制备了光电化学电池型的自供能紫外探测器.这种日盲的紫外探测器表现出良好的可重复性、稳定性以及很快的响应速...
- 倪世明于清江国凤云黄跃武
- 关键词：紫外探测器二氧化钛纳米棒阵列电化学阻抗
- MgO修饰TiO2纳米线作为光阳极的光电化学电池
- 利用一种简单的两步水热法直接在FTO衬底上垂直生长一种长32nm左右的TiO2/MgO异质结纳米线阵列,以这种纳米线阵列为阳极制备了一种新型的光电化学电池。在365nm波长的光照下,与未修饰的纯TiO2纳米线阵列相比,新...
- 倪世明国凤云王宝李政昊
- 关键词：光电化学
- 文献传递
- Zr:Fe:LiNbo<Sub>3</Sub>晶体及其制备方法
- Zr:Fe:LiNbO<Sub>3</Sub>晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO<Sub>3</Sub>晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都...
- 孙亮国凤云吕强于海涛李洪涛蔡伟徐玉恒赵连城
- 文献传递
- GaAs半导体材料中双光子吸收光限幅与偏振方向的关系被引量：6
- 1998年
- 理论分析了线偏振光波的偏振方向对ＧａＡｓ半导体双光子吸收的影响，实现了ＧａＡｓ半导体材料中不同偏振方向的双光子吸收光限幅，提高了双光子吸收光限幅的性能。
- 张学如杨学栋国凤云宋瑛林李淳飞
- 关键词：双光子吸收光限幅偏振砷化镓半导体
- C_(60)分子瞬态全光开关
- 1993年
- 本文以YAG脉冲激光为控制光,He-Ne连续激光为信号光,在C_(60)甲苯溶液中首次实现瞬态全光开关.由光开关时间推断出C_(60)分子三重态的寿命.
- 国凤云王端波杨昆李淳飞
- 关键词：C60全光开关碳团簇三重态
- 掺钬铌酸锂晶体光谱性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用提拉法得到了纯LiNbO3和掺杂量为2mol%的Ho:LiNbO3晶体。测试了Ho:LiNbO3晶体的吸收光谱、光致发光光谱,采用620nm激发波长得到了523nm的上转换荧光。利用Judd-Ofelt理论计算出在LiNbO3中的强度参数Ω2=27.4×10-20cm2、Ω4=7.45×10-20cm2、Ω6=27.1×10-20cm2,并由此计算了5G4→5I8、5S2→5I7、5F3→5I8处的自发辐射跃迁几率和积分发射截面。
- 刘海滨李洪涛国凤云孙亮赵连城徐玉恒
- 关键词：光谱JUDD-OFELT理论上转换发光
- 一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、制备MgGaZnO陶瓷靶材；步骤二、将石英衬底和MgGaZnO陶瓷靶材放入磁控溅射设备的真空室中进行磁控溅射，得到MgGaZ...
- 王东博罗佳炜国凤云刘东昊王金忠矫淑杰
- InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能被引量：1
- 2015年
- 采用分子束外延(MBE)方法,调节生长温度、Ⅴ/Ⅲ束流比等参数在(001)GaAs衬底上生长了InAs/GaInSb超晶格薄膜。结果表明:InAs/GaInSb超晶格薄膜的最佳生长温度在385~395℃,Ⅴ/Ⅲ束流比为5.7∶1~8.7∶1。高能电子衍射仪(RHEED)原位观测到清晰的GaAs层(4×2)、GaSb层(1×3)和InAs层(1×2)再构衍射条纹。获得的超晶格薄膜结构质量较好。随着温度的升高,材料的载流子浓度和迁移率均上升。
- 陈道明国凤云张新建白贵元赵连城
- 关键词：超晶格薄膜分子束外延
- C<,60>的激发态非线性吸收与全光开关特性研究
- 国凤云
- 关键词：反饱和吸收全光开关
