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唐永炳

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 14篇纳米
  • 6篇氮化
  • 5篇金属
  • 4篇纳米粉
  • 4篇纳米粉体
  • 4篇基板
  • 4篇粉体
  • 4篇封装
  • 4篇封装材料
  • 3篇氮化铝
  • 3篇电子封装材料
  • 3篇氧化硅薄膜
  • 3篇阴极
  • 3篇体硅
  • 3篇平板显示
  • 3篇平板显示器
  • 3篇热膨胀
  • 3篇准一维
  • 3篇网格
  • 3篇显示器

机构

  • 18篇中国科学院金...

作者

  • 18篇唐永炳
  • 17篇成会明
  • 15篇丛洪涛
  • 2篇从洪涛

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 5篇2006
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化铝增强金属铝的双纳米复合材料
一种氮化铝增强金属铝的双纳米复合材料，其特征在于：该复合材料为块体材料，是纳米氮化铝和纳米铝的混合物。本发明具有下述优点：1)Al和AlN相互润湿无不良界面反应，AlN－Al相界面结合很好；2)用等离子电弧法通过改变氮化...
丛洪涛唐永炳成会明
文献传递
一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法
一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法，采用刻蚀Si基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格，首先用含1-5%的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min，然后去除表面的氧化硅薄膜，用Al+A...
丛洪涛唐永炳成会明
文献传递
一种电子封装材料
一种以纳米铝为基体，以纳米碳管作为添加剂，其中纳米碳管所占体积比为5～35%材料的应用，其特征在于：用所述材料作为电子封装材料。本发明的优点是：此复合材料可与半导体硅同步热膨胀，避免了半导体硅与铝基封装材料之间形成热应力...
丛洪涛唐永炳成会明
文献传递
一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AlN阵列的方法
一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AlN阵列的方法，按0.05-3.0g/ml的浓度，将粒径为1-3um的催化剂颗粒均匀分散在共聚物溶液中，磁力搅拌25-35分钟后形成均匀悬浮乳状液后将其均匀滴在硅片上，等硅片风干后放入...
丛洪涛唐永炳成会明
文献传递
一种电子封装材料
一种电子封装材料，其特征在于：以纳米金属为基体，以纳米碳管作为添加剂制成；所述电子封装材料组成为：纳米碳管：体积比0～35％；纳米金属：余量。所述电子封装材料可以选用纳米铝为基体，以纳米碳管作为添加剂制成。本发明的优点是...
丛洪涛唐永炳成会明
文献传递
一种氮化铝增强金属铝的双纳米复合材料
一种氮化铝增强金属铝的双纳米复合材料，其特征在于：该复合材料为块体材料，是纳米氮化铝和纳米铝的混合物。本发明具有下述优点：1)Al和AlN相互润湿无不良界面反应，AlN-Al相界面结合很好；2)用等离子电弧法通过改变氮化...
丛洪涛唐永炳成会明
文献传递
一种纳米棒阵列材料
一种纳米棒阵列材料，其特征在于：所述材料组成成份为AlN，所述材料宏观上形成一种纳米棒阵列。本发明的优点是：此场发射材料具有低的开启电压、特别是具有高的发射电流稳定性等一系列优异的场发射性能。此材料制备方法简易、成本低，...
丛洪涛唐永炳成会明
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准一维AlN纳米材料的控制合成、物性研究及其应用探索
作为一种重要的Ⅲ族氮化物，AlN因其优异的力性和热物性、低电子亲和势、宽禁带等优点，有望在场发射电子显示、复合材料增强剂和紫外发光二极管等领域获得广泛应用。而准一维AlN纳米材料的纳米尺寸效应和维度效应使其具有与传统材料...
唐永炳
关键词：准一维纳米材料氮化铝尺寸效应
一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AIN阵列的方法
一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AlN阵列的方法，按0.05－3.0g/ml的浓度，将粒径为1－3um的催化剂颗粒均匀分散在共聚物溶液中，磁力搅拌25－35分钟后形成均匀悬浮乳状液后将其均匀滴在硅片上，等硅片风干后放入...
丛洪涛唐永炳成会明
文献传递
一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
从洪涛唐永炳成会明
一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法，采用刻蚀Si基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格，首先用含1-5%的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min，然后去除表面的氧化硅薄膜，用Al+A...
关键词：
关键词：氧化硅薄膜
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