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周清

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇GAAS
  • 1篇单片
  • 1篇单片低噪声放...
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇放大器
  • 1篇C波段
  • 1篇GAAS集成...
  • 1篇IEEE

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇周清
  • 1篇吴庆芳
  • 1篇陈继义
  • 1篇陈克金
  • 1篇莫火石

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
1989年IEEE GaAs集成电路年会概况
1990年
1989年IEEE GaAs集成电路年会于1989年10月22日至10月25日在美国加里福尼亚州圣迭戈(San Diego)市的港湾岛谢拉顿饭店召开,来自各国的代表共722人参加了会议.美国和日本的代表占大多数.会上共发表论文77篇,其中有4篇特邀报告.论文分以下几部分进行报导:1.GaAs数字大规模集成电路8篇,2.GaAs MMIC的新进展8篇,3.
周清
关键词：GAAS集成电路IEEE
C波段GaAs单片低噪声放大器
1991年
本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.
陈克金吴庆芳莫火石陈继义陈世鸯周清
关键词：低噪声放大器C波段GAAS放大器
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