吴金良
- 作品数：69 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信冶金工程更多>>
- 磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具
- 一种磁控溅射靶制造方法使用的模具，其特征在于，包括：一套筒，该套筒为管状，其一端的内侧有一圈凹缺；一圆柱体，该圆柱体的直径与套筒的内径相同，该圆柱体容置在套筒内；一靶托，该靶托为盘状，中间有一凹部，其直径与套筒下部的凹缺...
- 尹志岗杨霏陈诺夫吴金良柴春林
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- 双轨道太阳同步跟踪装置
- 一种双轨道太阳同步跟踪装置，包括：一个平行于地面的圆形导轨；一方形转动架，该方形转动架的下面装有滚轮，该方形转动架位于圆形导轨的上方，该方形转动架的滚轮与圆形导轨配合，该方形转动架的上面安装有导轮；一圆弧形转动架，该圆弧...
- 陈诺夫吴金良陈晨龙董毅
- 文献传递
- 在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法
- 一种在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法，包括如下步骤：1)选择一钛酸锶衬底；2)在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO<Sub>3</Sub>外延...
- 付振尹志岗陈诺夫张兴旺吴金良张汉
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- InSb光学带隙的掺杂调控研究被引量：1
- 2016年
- 利用布里奇曼法进行了InAsSb半导体合金的生长,并对其结构、光学及电学特性进行了表征.研究发现,As替位掺杂造成X射线(111)衍射峰略微右移,同时其半高宽明显展宽.基于X射线衍射数据,利用Vegard定律计算出的As组分与能谱测量得到的结果基本吻合.此外,As的掺入使得材料背景载流子浓度略有上升.傅里叶变换红外光谱结果显示,As的替入使得材料带隙明显变小,拟合得到的光学带隙与通过Woolley-Warner经验公式得到的值定性一致.研究结果表明,As掺杂是减小InSb带隙,开拓其面向第二个大气窗口红外探测应用的有效途径.
- 张兴旺吴金良尹志岗
- 关键词：红外探测带隙布里奇曼法掺杂微重力
- 锑化物磁性半导体体材料研究
- 2016年
- 利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测到抗磁信号.电学测量表明,两个区域的空穴浓度基本相当,说明观察到的磁学性能差异与载流子浓度无关.X射线能谱测试显示,高Mn区域的Mn组分分布不均匀,低Mn区域的Mn组分分布则相对更为均匀.此外,高Mn区域的饱和磁化强度仅为每Mn原子0.01.3μ_B,与理论值相差约两个数量级.X射线衍射谱的结果说明,高Mn区域有出现MnSb第二相的迹象.以上结果证实所观察到的室温铁磁性并不是GaMnSb的内禀特性.
- 尹志岗吴金良张兴旺
- 关键词：磁性半导体布里奇曼法MN掺杂
- 一种提高聚合物太阳能电池效率的方法
- 本发明公开了一种提高聚合物太阳能电池效率的方法，该方法是在制备聚合物太阳能电池的过程中，在光敏层与金属阴极之间引入ZnO电子传输层，并用氢等离子体处理该ZnO电子传输层。氢扩散到ZnO材料中形成浅施主能级，提高了ZnO的...
- 高红丽张兴旺张曙光尹志岗吴金良
- 文献传递
- 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
- 一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料...
- 彭长涛陈诺夫吴金良尹志冈杨霏
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- 制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法
- 一种制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法，其包括如下步骤：在氧化镁MgO(111)单晶衬底上外延一预定厚度的过渡金属单晶薄膜，形成样品；将样品置于离子束溅射沉积系统的腔室内，抽真空，然后在氢气气氛中升温并原位退...
- 孟军华张兴旺尹志岗吴金良
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- 二氧化钒柔性薄膜及其制备方法
- 一种二氧化钒柔性薄膜及其方法，其包括以下步骤：步骤1、在刚性衬底上外延生长氧化物缓冲层，在氧化物缓冲层上再外延生长二氧化钒薄膜；步骤2、在二氧化钒薄膜表面旋涂一层有机支撑保护薄膜，并干燥；步骤3、通过湿法腐蚀去除氧化物缓...
- 李星星尹志岗张兴旺吴金良
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- 介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法
- 本发明公开了一种介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法。该方法包括：准备一介质衬底；将所述介质衬底预置在一离子束溅射沉积腔室内，沉积腔室内包含氮化硼靶，以及辅助离子源和主离子源，并将该沉积腔室预抽至一背底真空度；该辅助离...
- 孟军华张兴旺高孟磊尹志岗吴金良
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