吴国光
- 作品数：26 被引量：19H指数：2
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省博士科研启动基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>
- InN材料的RF-MBE法生长及其发光器件研究
- 随着氮化物半导体材料外延技术的进步和人们对生长机理认识的深入，人们在InN材料特性研究方面取得了一定的进展，特别是对InN本征带隙认识的突破，高质量InN材料的带隙为0.7-0.9eV，而不是以前所认为的1.9eV，这使...
- 吴国光
- 关键词：分子束外延氮化铟近红外电致发光
- 文献传递
- As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
- 2008年
- 利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。
- 管和松李万成高福斌吴国光夏小川杜国同
- 关键词：ZNOGAASXPS受主
- 基于InN和ZnO纳米结构材料的电致发光器件
- 氮化物和氧化物半导体材料及相关器件是目前国际上化合物半导体领域最活跃的研究方向。近期氮化物半导体材料的一个热点研究方向就是高In组份的GaInN材料和相关器件研究;用MBE方法生长了InN纳米材料和薄膜材料，并制备了电致...
- 杜国同Guotong DuYuantao Zhang张源涛Guoguang Wu吴国光Wang Zhao赵旺Xiaochuan Xia夏晓川Hongwei Liang梁红伟Yang Liu柳杨Shiwei Song宋世巍Xin Dong董鑫Kexiong Zhang张克雄蔡旭浦Xupu CaiBaolin Zhang张宝林
- 关键词：发光器件化合物半导体性能评价
- 文献传递
- 一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物
- 本发明公开了一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物，包括以下步骤：(1)对表面有二氧化硅薄层的衬底进行低温退火处理；(2)采用氮等离子体对二氧化硅薄层进行低温氮化处理形成成核点；(3)采用低温外延形成InN纳米柱形貌；(...
- 吴国光管祺曾王成胡逸凡张宝林
- MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜被引量：5
- 2011年
- 通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2O3衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet发射峰,BV发射峰),范围在2.8～3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能。
- 许露梁红伟刘远达李春野柳阳边继明李国兴李万程吴国光杜国同
- 关键词：MOCVD光致发光
- 一种低温负热膨胀金属导电材料及其制备方法
- 本发明适用于负热膨胀材料技术领域，提供了一种低温负热膨胀金属导电材料及其制备方法，所述材料为ErCo<Sub>2</Sub>合金材料，所述ErCo<Sub>2</Sub>合金材料的原材料包括铒和钴，铒的摩尔数占原材料总摩...
- 李国兴张宝林张源涛董鑫吴国光邓高强王建立林翔
- 退火对MOCVD方法生长的ZnO薄膜性能的影响
- 宽带隙材料ZnO因其独特的性质，仍然吸引着人们的广泛关注。尤其近期，刘建林的研究小组又一次获得突破性的进展，在n型ZnO薄膜上生长Sb掺杂的p型ZnO纳米线，从而得到了同质结ZnO激光二极管[1]。相关ZnO基材料光电器...
- 马艳杜国同吴国光高福斌张宝林
- 合成及薄膜制备条件对CsPbBr3全无机钙钛矿量子点特性的影响被引量：11
- 2019年
- 通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品,并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜,探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180℃、反应时间为5s时所合成的量子点尺寸最小,为9nm;旋涂速度为3000r/min、退火温度为80℃、退火时间为10min时,所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。
- 马雪庄仕伟韩丽锦胡大强张源涛董鑫吴国光张宝林
- 关键词：钙钛矿量子点TEM光致发光
- 一种复合绝缘结构、晶体管以及复合绝缘结构和晶体管的制作方法
- 本发明提供了一种复合绝缘结构、晶体管以及复合绝缘结构和晶体管的制作方法，所述复合绝缘结构由AlN薄膜层以及在所述AlN薄膜层表面氧化形成的氧化层构成，其中，AlN薄膜层用于抑制由隧穿引起较大漏电流的同时提高器件的散热能力...
- 吴国光姜楠张宝林杜国同
- 醋酸铯合成CsPbBr3全无机钙钛矿量子点及薄膜发光特性被引量：2
- 2020年
- 为优化反应过程对合成钙钛矿量子点及其薄膜质量的影响,本文采用相较于碳酸铯溶解性更好的醋酸铯为原料合成前驱体,并对不同条件下合成的量子点及制备的薄膜进行一系列特性表征。在不同反应温度及反应时间条件下采用热注入法合成CsPbBr3全无机钙钛矿量子点,在不同旋涂速度及退火时间条件下制备量子点薄膜。对制得的量子点进行X射线衍射、吸收光谱、荧光寿命、透射电子显微镜测试,对量子点薄膜进行光致发光特性表征。发现采用溶解性更好的醋酸铯为原料合成前驱体制备CsPbBr 3全无机钙钛矿量子点,在反应温度为180℃、反应时间为5 s时,量子点尺寸最小,为8 nm,荧光寿命最长,为8 ns,晶体质量和吸收特性更好;旋涂速度为3000 r/min、退火时间为10 min条件下制得的CsPbBr 3量子点薄膜光致发光强度最强、半峰宽最小。相较于相同条件下以碳酸铯为原料合成的量子点材料,以醋酸铯为原料合成的量子点溶液及薄膜各项性能均有提升。
- 韩丽锦马雪张源涛董鑫吴国光张宝林
- 关键词：量子点XRDPL
