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吕卉

作品数:9 被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 8篇激光
  • 8篇激光器
  • 4篇半导体
  • 4篇INGAAS...
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇低阈值
  • 2篇圆孔
  • 2篇双稳
  • 2篇双稳激光器
  • 2篇固体激光
  • 2篇固体激光器
  • 2篇波导
  • 1篇导体
  • 1篇底座
  • 1篇电极
  • 1篇新月
  • 1篇研磨液
  • 1篇掩膜
  • 1篇直径

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇吕卉
  • 5篇马骁宇
  • 3篇王丽明
  • 3篇马朝华
  • 3篇高洪海
  • 2篇汪孝杰
  • 2篇芦秀玲
  • 2篇王大拯
  • 2篇高文智
  • 2篇杜云
  • 2篇刘素平
  • 2篇吴荣汉
  • 2篇张权生
  • 2篇李伟
  • 2篇刘媛媛
  • 2篇王俊
  • 2篇王勇刚
  • 1篇冯晓明
  • 1篇田慧良
  • 1篇张海艳

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇应用光学

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇1997
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1989
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器被引量:4
1992年
一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.
张权生吴荣汉林世鸣高洪海高文智吕卉韩勤段海龙杜云芦秀玲
关键词:双稳激光器INGAASP/INP
1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器被引量:2
1989年
本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.
彭怀德马朝华汪孝杰张盛廉吕卉王丽明武淑珍马骁宇张洪琴
关键词:激光器PBC
极低阈值脊形波导GaAs/AlGaAs GRIN-SCH SQW激光二极管
1997年
本文报道,极低阈值电流脊形波导~0.85μmGaAs/AsGaAsGRIN-SCHSQW激光二极管优化设计、器件制备和特性.获得了2.2~4mA的极低阈值电流和~0.6mW/mA的微分量子效率.70℃,3mW恒功率寿命试验,推测器件平均工作寿命大于4万小时.
张敬明陈良惠徐俊英徐遵图杨国文吕卉郭文华
关键词:激光二极管波导半导体激光器
自动搅拌滴料桶
一种自动搅拌滴料桶装置,包括:一滴料桶,该滴料桶为一桶状,在该滴料桶的一端开有一圆孔;一研磨液通道,该研磨液通道为一管状,其两端的开口分别与通道垂直、分居通道两侧,该研磨液通道位于滴料桶内,固定在滴料桶内的一侧,且其两端...
王大拯王俊吕卉李伟刘秀英张海艳赖剑雷刘素平马骁宇
文献传递
InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H^+轰击掩膜研究
1993年
在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。
张权生吕卉杜云马朝华吴荣汉高洪海高文智芦秀玲
关键词:半导体激光器INGAASP/INP
半导体可饱和吸收镜作为被动调Q吸收体的发展状况被引量:2
2005年
 简介了近年来发展起来的若干种新型固体激光器被动调Q用吸收体:掺Cr4+系列,Cr,Nd∶YAG自调Q激光晶体,人眼安全激光器被动调Q用吸收体,GaAs吸收体,半导体可饱和吸收镜。着重介绍了固体激光器和光纤激光器调Q用半导体可饱和吸收镜的原理、研制方法及应用状况。
李德刚王勇刚马骁宇肖军吕卉
关键词:半导体可饱和吸收镜固体激光器
半导体激光器热沉
一种半导体激光器热沉,其特征在于,包括:一底座,该底座为矩形,该底座的下面有一凹槽;一主体,该主体的两侧纵向分别有一凹缺;该主体的两侧横向分别有一凹部;该主体上部有半圆形缺口,该半圆形缺口用于排列半导体激光器的bar条;...
王大拯冯晓明王俊吕卉李伟刘媛媛刘素平马骁宇
文献传递
宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究被引量:4
2004年
介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs) 的研制方法和应用。制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀。分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较。
王勇刚马骁宇吕卉王丽明刘媛媛
关键词:湿法腐蚀干法腐蚀固体激光器
1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器被引量:2
1989年
用两次液相外延制备了1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器.室温下无扭折直流光功率超过6mW,阈值电流为34mA,单面外微分量子效率高达33%.在室温附近的稳定单纵模工作温度范围超过43℃,波长温度系数为0.9A/K.在1.6mW输出光功率下的静态线宽为60MHz.在1GHz正弦调制下仍为单纵模输出.
王圩张静媛田慧良缪育博汪孝杰马朝华王丽明吕卉高俊华高洪海
关键词:激光器波导
共1页<1>
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