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吕倩倩

作品数:13 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 13篇波导
  • 7篇探测器
  • 5篇光电
  • 5篇光电探测
  • 5篇光电探测器
  • 5篇包层
  • 4篇雪崩
  • 4篇雪崩光电探测...
  • 4篇输出波导
  • 4篇耦合损耗
  • 3篇键合
  • 3篇光链路
  • 3篇AWG
  • 2篇单模
  • 2篇单模传输
  • 2篇增层
  • 2篇匹配层
  • 2篇耦合器
  • 2篇无源
  • 2篇键合工艺

机构

  • 13篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 13篇韩勤
  • 13篇吕倩倩
  • 12篇杨晓红
  • 10篇尹伟红
  • 6篇崔荣
  • 6篇李彬
  • 3篇尹冬冬
  • 2篇何婷婷
  • 1篇安俊明
  • 1篇王玉冰
  • 1篇潘盼
  • 1篇侯丽丽

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
AWG输出波导与波导探测器的集成器件及其制备方法
本发明提供了一种AWG输出波导与探测器的集成器件及其制备方法。该集成器件包括:衬底;AWG输出波导,呈条状,位于衬底上的AWG区域,自下而上包括:AWG下包层、AWG芯层和AWG上包层,其中,AWG下包层和AWG芯层延伸...
吕倩倩韩勤杨晓红尹伟红
文献传递
InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法
本发明提供一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法,所述InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器,包括:一衬底;一下包层,其制作在衬底的中间部位,其形状为铲子形,一端为铲子的头部,另一端为柄部;铲形头部的前...
吕倩倩韩勤崔荣李彬尹伟红杨晓红
文献传递
一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器
本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD),该雪崩光电探测器包括:衬底;形成于衬底之上的单模传输光波导,用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输,并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层;形成于单模传输光波导之上的...
崔荣杨晓红李彬尹伟红吕倩倩韩勤
文献传递
基于选区外延技术的单片集成阵列波导光栅与单载流子探测器的端对接设计
2017年
选区外延技术是实现有源与无源光器件单片集成的一种有效的工艺手段,但同时对两种器件在异质生长界面处的对接结构提出了更高的设计要求.本文通过选区外延技术实现了InP基O波段4通道阵列波导光栅与单载流子探测器的单片集成.通过光学仿真重点研究了选区外延后界面处形貌对无源波导结构与有源光探测器间光耦合效率的影响,包括伸长的光学匹配层、二次外延生长边界位置、波导刻蚀边界位置等因素.研究结果表明,在保证二次外延生长边界对准异质对接界面时,将光学匹配层伸出探测器前端10μm并与外延边界无缝对接既可以保证高效的光传输效率(或探测器量子效率),又可以避免外延界面处的异常生长对器件制备工艺的影响,保证生长工艺与器件制备工艺的兼容性.成功制备的单片集成芯片具有高达76%的探测器量子效率,证明了对接方案的有效性.同时,集成芯片的低串扰(<-22 dB)与解复用特性展示出其作为解复用光接收芯片具有巨大潜力.
叶焓韩勤吕倩倩潘盼安俊明王玉冰刘荣瑞侯丽丽
关键词:单片集成阵列波导光栅
一种硅基混合集成雪崩光电探测器
本发明公开了一种硅基混合集成雪崩光电探测器(APD),包括自下而上叠置的SOI(silicon‑on‑insulator)倒锥耦合结构、键合层、波导和光学匹配层,以及雪崩光电探测结构。波导和光学匹配层包括波导区和光学匹配...
尹冬冬杨晓红韩勤何婷婷吕倩倩
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一种硅基混合集成雪崩光电探测器
本发明公开了一种硅基混合集成雪崩光电探测器(APD),包括自下而上叠置的SOI(silicon?on?insulator)倒锥耦合结构、键合层、波导和光学匹配层,以及雪崩光电探测结构。波导和光学匹配层包括波导区和光学匹配...
尹冬冬杨晓红韩勤何婷婷吕倩倩
AWG输出波导与探测器有缝对接的集成器件及制备方法
本发明提供了一种AWG输出波导与波导探测器有缝对接的集成器件及其制备方法。该集成器件包括:衬底,其左、右两区域分别作为AWG区域和PD区域;AWG输出波导,位于衬底上的AWG区域,AWG下包层和AWG芯层延伸至PD区域;...
吕倩倩韩勤杨晓红尹伟红
SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成被引量:4
2014年
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。
崔荣杨晓红吕倩倩尹冬冬尹伟红李彬韩勤
关键词:探测器键合技术
AWG输出波导与波导探测器的集成器件及其制备方法
本发明提供了一种AWG输出波导与探测器的集成器件及其制备方法。该集成器件包括:衬底;AWG输出波导,呈条状,位于衬底上的AWG区域,自下而上包括:AWG下包层、AWG芯层和AWG上包层,其中,AWG下包层和AWG芯层延伸...
吕倩倩韩勤杨晓红尹伟红
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AWG输出波导与探测器有缝对接的集成器件及制备方法
本发明提供了一种AWG输出波导与波导探测器有缝对接的集成器件及其制备方法。该集成器件包括:衬底,其左、右两区域分别作为AWG区域和PD区域;AWG输出波导,位于衬底上的AWG区域,AWG下包层和AWG芯层延伸至PD区域;...
吕倩倩韩勤杨晓红尹伟红
文献传递
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