叶鸣
- 作品数：47 被引量：83H指数：6
- 供职机构：西安交通大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术一般工业技术更多>>
- 导电薄膜方块电阻无损检测的微带传输线法
- 针对纳米导电薄膜的方块电阻检测问题,提出了基于微带传输线的无损检测方法。通过引入空气缝隙,将待测导电薄膜及其衬底插入微带线横截面内,进而测量微波信号的插损来获得待测薄膜的导电特性。采用电磁仿真软件和实验测试对该方法进行了...
- 叶鸣王露张松昌冯鹏贺永宁
- 关键词：导电薄膜方块电阻微带传输线
- 文献传递
- 基于三角沟槽-圆柱孔复合结构的空间微波器件微放电抑制
- 提出了一种抑制二次电子产额（Secondary electron yield,SEY）的三角沟槽-圆柱孔复合结构。结合二次电子发射唯象概率模型和轨迹追踪算法,对光滑铜表面、铜表面三角沟槽、圆柱微孔及三角沟槽-圆柱微孔复合...
- 冯鹏叶鸣王丹贺永宁
- 关键词：二次电子发射
- 金纳米结构表面二次电子发射特性被引量：3
- 2018年
- 使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构,研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律,表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时,金纳米结构孔隙率增大,表面电子出射产额降低;能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用,对背散射电子的作用效果则依赖于表面形貌.使用由半球和沟槽构成的复合结构,并结合二次电子发射唯象概率模型,对金纳米结构进行模型等效及电子发射特性仿真,模拟结果表明:纳米结构中的半球状纳米颗粒对两种电子产额均有增强作用;沟槽对真二次电子产额有强抑制作用,而对背散射电子产额仅有微弱抑制作用.本工作深入研究了金纳米结构表面电子发射机理,对于开发空间微波系统中纳米级低电子产额表面有重要参考价值.
- 王丹贺永宁叶鸣崔万照
- 关键词：电子发射
- 一种用于射频频段电接触元件的接触阻抗测量系统及方法
- 本发明公开了一种用于射频频段电接触元件的接触阻抗测量系统及方法，其采用单频信号激励待测接触元件，利用调零单元将反射信号中由其他结构产生的响应扣除以提高测量灵敏度，通过测量调零单元输出信号的幅度和相位，计算待测接触元件的接...
- 赵小龙贺永宁胡扬波叶鸣曹智
- 文献传递
- 二次电子发射对质子束流测量精度的影响
- 2014年
- 二次电子发射直接影响法拉第探测器测量质子束流的精度,减小或消除二次电子发射的影响是提高束流测量精度的关键.根据二次电子补偿原理设计了二次电子补偿型同轴法拉第探测器,实验发现探测器测量质子束流强度时不能完全实现二次电子补偿.为改进和完善探测器的设计,从理论上分析了补偿片未能完全消除二次电子对束流测量影响的原因,是由于补偿片前向发射二次电子数目大于收集极后向发射二次电子数目所致.为此设计了质子束穿过金属箔发射二次电子测量装置,测量得到能量为5-10MeV 质子穿过10μm 厚铜箔时前向与后向发射二次电子产额,验证了理论分析的正确性.
- 张忠兵陈亮阮金陆刘金良欧阳晓平叶鸣贺永宁刘军刘林月
- 关键词：二次电子发射高能质子铜箔
- 铁磁性材料的无源互调产生机理及实验验证
- 射频/微波系统中由弱非线性引起的无源互调效应,已经成为卫星通信、移动通信提升系统性能的主要瓶颈之一.本文以铁磁性材料镍为研究对象,基于磁畴畴壁的非线性振动过程研究了铁磁性材料的无源互调产生机理.基于分布式点源模型,分别推...
- 陈理想叶鸣赵小龙张松昌曹智张可越张勇贺永宁
- 关键词：无源互调铁磁性材料镍畴壁磁化
- 文献传递
- 一种利用规则阵列结构减小金属二次电子发射系数的方法
- 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比...
- 贺永宁叶鸣崔万照王瑞胡天存黄光孙
- 文献传递
- 一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法
- 本发明公开了一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法，包括如下步骤：选取与待测样品工艺参数相同的样品作为校准样品；测量校准样品的方块电阻、膜厚、插损；依据校准样品测试数据获得金属薄膜插损‑膜厚关系曲线；测量待测样品的插损...
- 叶鸣贺永宁王怡然张松昌赵小龙王露
- 文献传递
- 同轴阻抗变换器低气压放电研究
- 2019年
- 低气压放电效应是由微波电离击穿引起的气体放电现象,是限制大功率微波部件功率容量的关键可靠性问题之一。以同轴结构微波部件为研究对象,对S波段同轴阻抗变换器进行了低气压放电实验研究。实验结果表明:同轴阻抗变换器的低气压放电行为近似符合帕邢曲线。基于考虑扩散、电离、吸附的气体放电理论,建立了同轴传输线结构微波电离击穿功率阈值的计算模型。模型计算结果表明:气体温度升高会导致微波电离击穿阈值曲线向低气压区域平移;局部场增强效应会降低同轴阻抗变换器的低气压放电功率阈值。
- 茅张松李韵张勇叶鸣王瑞崔万照贺永宁
- 一种基于偶极子近场耦合法测量无源互调的方法被引量：5
- 2018年
- 无源互调(PIM,Passive Intermodulation)是影响微波通信系统可靠性的关键问题之一。该文提出并实现一种利用近场耦合原理诊断接触结构待测件的PIM测量方法。该测量方法通过缝隙波导激励开口缝隙附近的接触结构,并同时在波导端面接收所产生的PIM信号,从而能方便地对不同物理接触状态的接触结构的PIM产物进行测试分析。并应用电磁商业仿真软件CST对PIM测试工装进行仿真验证,结果与基于偶极子的理论分析结论一致。最后利用铝合金接触结构开展了实验验证研究,获得了三、五阶PIM产物随载波功率的变化特性,实验验证了三阶和五阶PIM产物之差随载波功率降低而增大的变化规律。
- 高凡赵小龙叶鸣张松昌贺永宁崔万照
- 关键词：无源互调近场耦合
