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卢肖

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇漏电
  • 3篇BST薄膜
  • 2篇漏电流
  • 1篇射频
  • 1篇温度特性
  • 1篇漏电流温度特...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇BST

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇卢肖
  • 2篇张万里
  • 2篇李言荣
  • 2篇吴传贵

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 3篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究被引量：3
2006年
采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态———初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理,建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法.
卢肖吴传贵张万里李言荣
关键词：BST薄膜漏电流
BST薄膜漏电流温度特性研究被引量：3
2006年
采用射频溅射制备Ba0．8Sr0．2TiO3（BST）薄膜，研究了测试温度（295～375K）对BST薄膜J-V（电流密度-电压）特性的影响。实验发现：J∝V^m在低场下（V〈1．8V）m≈1，高场下（V〉1．8V）m≈8。随着测试温度升高，在低场下电流密度增大，指数优值保持不变；而在高场下电流密度减小，指数优值减小。通过进一步分析发现：电流密度和温度的关系在低场下满足InJ∝-1/T，在高场下满足logJ∝1/t。
卢肖吴传贵张万里李言荣
关键词：BST薄膜漏电流温度特性
BST热释电薄膜漏电特性研究
BST薄膜具有高介电系数、低漏电流密度、居里温度可调以及优异的热释电性能等优点，可被广泛应用于非制冷红外探测器、动态随机存储器、高介电常数电容器、介质移相器等电子信息领域。对于在器件方面的应用，BST薄膜的漏电流是最重要...
卢肖
关键词：BST薄膜
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