刘振玲
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院陕西省信息光子技术重点实验室更多>>
- 发文基金：河南省杰出人才创新基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 氧化锌导电类型转化的热力学分析被引量：2
- 2005年
- 为了更好了解ZnO在p型转化中存在的困难,文章对其进行了本征点缺陷的热力学分析,得到了热平衡状态时,ZnO中主要的点缺陷浓度与环境温度和氧气压的关系,并做出了其K V图.根据热力学分析结果,可以看出在热平衡状态下实现p型转化具有非常大的困难;还指出了p型转化的有效途径.相关的试验也证明了这种分析的可行性.
- 王洪波张景文杨晓东刘振玲徐庆安侯洵
- 关键词：氧化锌导电类型热力学宽禁带半导体
- L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管被引量：2
- 2006年
- 采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO -TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s).
- 张新安张景文杨晓东娄辉刘振玲张伟风侯洵
- 关键词：激光分子束外延ZNO薄膜薄膜晶体管
