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刘惠珍

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海原子核研究所更多>>
相关领域：理学核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇硅
  • 1篇单晶
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体聚合
  • 1篇有机膜
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇探测器
  • 1篇离子
  • 1篇离子注入
  • 1篇沟道
  • 1篇改性
  • 1篇PIXE
  • 1篇超薄

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇刘惠珍
  • 2篇朱德彰
  • 2篇曹德新
  • 2篇朱福英
  • 1篇吴美珍
  • 1篇浦世节
  • 1篇童志深
  • 1篇浦天舒
  • 1篇沈浩元
  • 1篇周馥

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇高分子材料科...

年份

  • 2篇1994
  • 1篇1991
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
用RBS沟道和PIXE沟道相结合研究硅注入砷化镓单晶
GaAs(100)单晶液氮温度下注入能量为48 KeV,剂量为3E15和5E1s Si/cm的硅。用 RBS-C 和 PIXE-C 来分析砷化镓中离子注入损伤和硅在材料中的位置和替位率。这两种方法同时测量弥补了单一方法的...
曹德新刘惠珍朱福英朱德彰
文献传递
超薄窗Si（Li）探测器在实验中的应用
1994年
用超薄窗Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量低能Ｘ射线，将传统的ＰＩＸＥ谱测量范围推广到如Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ等低原子序数元素。还对超薄窗Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的具体应用作了描述。
刘惠珍朱福英朱德彰曹德新沈浩元浦世节
关键词：探测器硅
等离子体聚合有机膜的离子注入改性
1994年
以苯胺为单体在等离子体条件下进行聚合，测量所合成的有机膜经１００ｋｅＶ、５×１０１５ｃｍ￣（－２）Ａｒ￣＋注入后电阻率的变化，并用ＦＴＩＲ、ＸＰＳ和核分析方法对离子注入引起的结构和成分改变进行了探讨。结果表明，在等离子体环境下，聚合膜内仍含有大量环结构。由于Ａｒ￣＋的注入，聚合膜表面损伤而碳化，使注入层内的体电阻率降低１１个数量级。
童志深周馥吴美珍浦天舒刘惠珍
关键词：等离子体离子注入改性
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