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储明

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：安徽大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇MOSFET
  • 1篇短沟道
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇阈值电压
  • 1篇温度效应
  • 1篇模型分析
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米MOSF...
  • 1篇寄生电阻
  • 1篇沟道
  • 1篇硅栅

机构

  • 2篇安徽大学

作者

  • 2篇储明
  • 1篇陈军宁
  • 1篇孙家讹

传媒

  • 1篇电脑知识与技...

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
纳米MOSFET寄生电阻模型分析
2009年
随着器件尺寸的缩小，寄生电阻对器件性能的影响不可忽视，为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响，需要有准确的寄生电阻模型。该文分析了短沟道寄生电阻模型．研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因，并对模型进行了改进。最后分析了器件参数对寄生电阻的影响，提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施。
储明孙家讹陈军宁
关键词：纳米MOSFET短沟道
同质复合栅MOSFET阈值电压及电阻温度效应的研究
随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的寄生电阻模型。　　本文第二章分析了短沟道寄生电阻模型,研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结...
储明
关键词：阈值电压多晶硅栅
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