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何茗

作品数:23 被引量:39H指数:5
供职机构:成都工业学院更多>>
发文基金:四川省教育厅资助科研项目中国人民解放军总装备部预研基金四川省青年科技基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇陶瓷
  • 6篇介电
  • 4篇电性能
  • 4篇介电性
  • 4篇介电性能
  • 3篇微波介电
  • 3篇微波介质
  • 3篇微波介质陶瓷
  • 3篇微晶
  • 3篇微晶玻璃
  • 3篇介质陶瓷
  • 3篇CASIO
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  • 2篇电路
  • 2篇电子结构
  • 2篇动态范围
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇天线
  • 2篇子结构
  • 2篇自举

机构

  • 14篇电子科技大学
  • 11篇成都电子机械...
  • 6篇成都工业学院
  • 2篇成都医学院
  • 2篇西南民族大学
  • 1篇湘潭大学

作者

  • 23篇何茗
  • 6篇张树人
  • 2篇张婷
  • 2篇万静
  • 2篇周晓华
  • 1篇吴孟强
  • 1篇李波
  • 1篇巫丛平
  • 1篇杨谟华
  • 1篇王秀锋
  • 1篇郑晓霞
  • 1篇慕东
  • 1篇刘源
  • 1篇唐斌
  • 1篇饶文红
  • 1篇苏桦
  • 1篇沈保罗
  • 1篇彭森
  • 1篇李俊杰
  • 1篇巫从平

传媒

  • 5篇电子元件与材...
  • 5篇成都电子机械...
  • 2篇材料导报
  • 2篇西南民族大学...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇重庆邮电大学...
  • 1篇2009四川...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2005
  • 4篇2004
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
H_3BO_3掺杂的Ba_5Nb_4O_(15)陶瓷的烧结及介电性能被引量:2
2013年
采用传统的固相烧结工艺制备了H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷。研究了H3BO3掺杂量对Ba5Nb4O15陶瓷的相成分、微观结构、烧结以及微波介电性能的影响。结果表明:H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷中,除主晶相Ba5Nb4O15相外,还生成了BaNb2O6和BaB2O4相;H3BO3能够将Ba5Nb4O15陶瓷的烧结温度降低500℃左右,同时没有显著损害该陶瓷的微波介电性能;当H3BO3掺杂量为质量分数1%时,900℃烧结的Ba5Nb4O15陶瓷具有良好的微波介电性能:εr=38.8,Q×f=48 446 GHz,τf=37.0×10–6/℃。
何茗
关键词:微波介电性能陶瓷掺杂
Sol-gel法制备CaSiO_3基LTCC陶瓷
2011年
采用溶胶凝胶法(Sol-gel)制备了CaSiO3基低温共烧陶瓷,在800℃、825℃、850℃、875℃下烧结,并对烧结样品进行了热重—差热分析、X射线扫描分析、扫描电子显微镜形貌分析。测试了在烧结温度为800℃、825℃、850℃、875℃下各样品的烧结密度和介电性能。结果表明Sol-gel法制备的CaSiO3基低温共烧陶瓷含有大量的CaSiO3晶相与少量的CaB2O4晶相,最佳烧结温度为850℃。在烧结温度为850℃时,CaSiO3基低温共烧陶瓷的烧结密度ρ=2.60 g/cm3,介电性能εr=5.86,tanδ=0.46×10-4。
何茗张树人张婷巫从平饶文红
关键词:溶胶-凝胶介电
MATLAB与Visual C++混合编程在计算材料介电性能中的应用被引量:6
2010年
针对MATLAB不能实现端口操作、实时控制和Visual C++处理复杂数值运算效率低的问题,利用VisualC++与MATLAB进行混合编程,实现功能互补,为材料介电性能的复杂计算及计算结果的可视化提供强大的技术支持。MATLAB将材料介电模型文件转化成Visual C++的代码,并将代码用Visual C++编译器编译连接成独立应用程序。结合Visual C++强大友好的软件制作功能及MATLAB功能极强的科学计算及图形绘制显示特性,MATLAB编译器将不同的介电性能的计算模块分别编译成动态链接库文件,并在Visual C++编写的可视化交互操作界面中对其进行调用,实现计算及绘图功能。
何茗
关键词:MATLABVISUALC++混合编程
CPU芯片封装中的关键工艺流程
封装对CPU芯片起着机械支撑和机械保护、传输信号和分配电源、散热、环境保护等作用。CPU芯片封装关健工艺技术有自动装载、芯片贴装、环氧塑封、芯片互连、激光打码等。本文简要介绍了CPU芯片的倒装芯片球栅阵列封装工艺技术的研...
何茗
关键词:CPU芯片封装技术
文献传递
CuBi_2(V_2O_5)掺杂Li_2O-ZnO-TiO_2系陶瓷的低温烧结和微波介电性能被引量:1
2015年
以CuBi2(V2O5)(简称为CBV)低熔点氧化物为烧结助剂,采用传统的固相烧结工艺制备了CBV掺杂的Li2O-ZnO-TiO2系微波陶瓷。并利用XRD、SEM等研究了Li2O-ZnO-TiO2系陶瓷的烧结行为、物相组成、显微结构及微波介电性能等。结果表明:当CBV掺杂量为质量分数3.25%时,875℃烧结的Li2O-ZnO-TiO2陶瓷微波具有良好的微波介电性能:εr=25.63,Q·f=53400GHz,τf=–5.27×10–6/℃。
何茗
关键词:CBV陶瓷介电性能
一种纯钴渗硼硅处理方法
本发明涉及一种纯钴渗硼硅处理方法,可以制得具有硼硅渗层的钴片,抗高温氧化试验结果显示渗硼硅纯钴试样抗高温氧化性优于未渗硼硅后纯钴试样,并且耐磨性能优良。
慕东何茗刘源沈保罗
文献传递
Zr掺杂CBS微晶玻璃结晶相的定量分析
2012年
在850℃下制备了Zr掺杂CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃。采用Rietveld全谱拟合法分析了所制微晶玻璃中各结晶相的相对含量,以及分峰法计算得到微晶玻璃的结晶度,从而分析出Zr掺杂CBS微晶玻璃中各结晶相的含量。与内标法计算结果比较,该方法计算得到的结晶度相对误差为1.35%,结晶相绝对含量的最大相对误差为5.47%。该方法可用于定量分析含有结晶相和非晶相的其他多组分材料,为其提供理论分析的依据。
何茗张树人万静
关键词:微晶玻璃
CaSiO_3晶体结构的研究
2009年
本文介绍了CaSiO3的性质及应用,并采用平面波超软赝势法对其晶体结构结构进行了优化,计算了晶格常数,并对计算结果进行了分析。优化后的晶体参数能很好的与实验数据吻合。为CaSiO3的设计和应用提供了理论依据。
何茗
关键词:晶体结构
高性能高动态范围的CMOS模拟开关被引量:1
2004年
介绍提高信号幅度的自举模拟开关的设计,输入信号通过该开关后的动态范围达到满幅度。采用0.34μm的CMOS工艺,用Hspice进行仿真,并给出仿真结果。
何茗
关键词:集成电路
1.5Bit//级pipeline结构A//D转换器关键单元电路设计研究
片上系统/(SOC/)需要在单个硅片上实现模数混合集成。与数字系统工艺兼容、功耗面积等指标优化的高性能A//D转换器/(ADC/)是片上系统中非常重要的单元。因此,基于标准CMOS工艺的高速、高分辨率、低功耗的A//D转...
何茗
关键词:CMOS流水线动态比较器自举开关
文献传递
共3页<123>
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