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何也熙

作品数:22 被引量:43H指数:3
供职机构:清华大学工程物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:核科学技术自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 2篇会议论文

领域

  • 16篇核科学技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 11篇托卡马克
  • 5篇等离子体
  • 5篇托卡马克装置
  • 4篇第一壁
  • 4篇聚变
  • 4篇HT-7超导...
  • 4篇超导
  • 4篇超导托卡马克
  • 3篇HT-6B
  • 2篇等离子体约束
  • 2篇碳膜
  • 2篇涂层
  • 2篇硼化
  • 2篇聚变装置
  • 2篇混合编程
  • 2篇光谱
  • 2篇核聚变
  • 2篇编程
  • 2篇VB.NET
  • 2篇

机构

  • 14篇中国科学院等...
  • 8篇清华大学
  • 3篇合肥工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 21篇何也熙
  • 5篇辜学茂
  • 4篇李成富
  • 4篇王小明
  • 4篇谢纪康
  • 4篇梁荣庆
  • 4篇陈俊凌
  • 4篇张晓东
  • 3篇黄荣
  • 3篇方应翠
  • 3篇隋毅峰
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  • 2篇张良
  • 2篇胡立群
  • 2篇武松涛
  • 2篇赵君煜
  • 2篇曾立
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  • 1篇孟月东
  • 1篇谭熠

传媒

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  • 1篇真空

年份

  • 3篇2009
  • 1篇2006
  • 5篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1996
  • 1篇1995
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
HT-7超导托卡马克第1壁B/C膜吸O性研究被引量:1
2001年
通常在托卡马克第 1壁沉积 1层B膜 ,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT 7第 1壁位置处放了几个石墨样品 ,它们与HT 7一起硼化。硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析 ,发现在成膜过程中B膜开始吸O ;等离子体轰击时 ,B膜进一步吸O。O在膜中与B以化合态B2 O3 形式存在。并对实际中存在的一些问题进行了探讨。
方应翠张晓东辜学茂王小明何也熙李成富
关键词:HT-7超导托卡马克
NS型与VEECO型压电阀脉冲特性测试被引量:1
2004年
为了给中国联合球形托卡马克装置(SUNIST)的充气系统选择合适的压电阀,我们对国产NS型压电阀和美国的VEECO压电阀进行了送气率和脉冲送气特性的测试。实验表明二者都具有优秀的脉冲响应重复性,可满足SUNIST的要求。尽管VEECO阀在可靠性指标上经过了时间的验证,但NS阀在送气率方面更适合SUNIST等离子体实验的要求。
何也熙肖琼
关键词:压电阀脉冲特性可靠性
HPI弹丸注入器被引量:1
1996年
叙述了HPI弹丸注入器的结构特点、工作原理及液氮冷凝条件下甲烷弹丸的制造及发射实验。结果表明,该注入器产生的弹丸具有较好的重复性和完整性,并且在整个弹丸制造、加速及传输过程中质量损失极少。目前已得到速度约450m/s,散角小于0.3°的φ1mm×1mm圆柱体甲烷弹丸。
胡立群何也熙武松涛
关键词:核聚变
SUNIST球形托卡马克的研究进展被引量:6
2003年
球形托卡马克为聚变能的商业应用提供了一条可能的途径。中国联合球形托卡马克SUNIST以真空室的环向和极向都有绝缘隔缝为结构特征。该装置的主要任务是研究低环径比等离子体的基本特性和等离子体的非感应加热与电流驱动。包括同轴磁螺旋性注入电流启动、电极放电辅助电子回旋波电流启动、电子伯恩斯坦波以及离子高次谐波快波加热与电流驱动。装置已经顺利组装完毕,并安装了磁测量、静电探针和软X射线等基本的诊断系统。目前正处于系统联调阶段。
何也熙王龙曾立SUNIST组
关键词:等离子体磁约束聚变
HT-7超导托卡马克泰勒放电清洗实验研究被引量:1
1996年
介绍了简单有效的泰勒放电清洗(TDC)兼真空室感应加热烘烤清洗系统。该系统在累计运行91.5h后,使H2O含量从66%降低到6.7%,CO含量从30%降低到13%。从而使等离子体的平均有效电荷数降低到2左右,获得了低安全因子q放电的等离子体电流。
孟月东何也熙杨道文丛杰李成富谢纪康辜学茂张晓东
关键词:托卡马克装置
聚变装置第一壁真空等离子喷涂B_4C涂层研究被引量:2
1999年
B4 C 涂层提供了低 Z( 原子序数) 和稳定的耐熔表面。在不锈钢和铜合金基片上直接采用真空等离子喷涂法实现200 μm ~300 μm 厚的 B4 C 涂层, 是一种经济、快速且有效的第一壁制造工艺。通过对影响 B4 C 涂层质量的诸多工艺参数进行优化, 在温度和气氛可控的条件下实现抗热冲击性能良好的 B4 C 涂层。该涂层适于作为核聚变装置第一壁耐等离子冲刷的保护涂层。
陈俊凌梁荣庆隋毅峰何也熙
关键词:第一壁碳化硼涂层
HT-7U装置第一壁抗热冲击SiC厚膜涂层研究被引量:2
2000年
为实现 HT- 7U装置长脉冲运行的物理目标,在碳石墨第一壁材料的改性研究中和为保证在稳定的长平顶阶段对大部分杂质和再循环的控制,提出了研制抗等离子体溅射腐蚀的梯度功能涂层的概念。研究了通过化学气相转化 CVR和化学气相渗透 CVI 2种技术实现 SiC厚膜梯度涂层的方法,通过实验研究发现 CVI法实现的 SiC涂层有更厚、更致密、更好的梯度性和很好的抗热冲击等综合性能,适于作为 HT- 7U装置第一壁高通量部件上的保护涂层。
陈俊凌梁荣庆何也熙隋毅峰
关键词:第一壁HT-7U装置抗热冲击碳化硅涂层
HT-7超导托卡马克第一壁He辉光硼化实验研究被引量:3
2001年
为了降低聚变等离子体杂质的含量,改善等离子体性能,对 HT- 7进行了射频辅助的氦气直流辉光放电硼化。硼化后,等离子体参数提高,等离子体行为明显改善。由此证实了硼化为 HT- 7稳态运行提供了良好的壁条件。
方应翠李成富王小明辜学茂何也熙张晓东
关键词:HT-7硼化第一壁超导托卡马克
核聚变装置炭石墨第一壁材料的研究动向
将介绍聚变PFM的性能要求和研究开发动向,提出研制抗等离子溅射腐蚀的梯度功能复合材料的概念。
陈俊凌梁荣庆汪浩波何也熙
关键词:核聚变稳态运行高负荷核聚变装置炭石墨材料
球形托卡马克装置SUNIST的建立被引量:3
2004年
2002年建成的SUNIST球形托卡马克装置是中国第1台低环径比(R/a≈1.3)的托卡马克装置,具有氟橡胶交叉密封和电绝缘的结构。该装置主要设计参数为:大半径0.3 m,小半径0.23 m,自然拉长比1.6,截面中心磁场0.15 T和等离子体电流50 kA。在初步的欧姆加热实验中已得到了等离子体电流为52 kA的可重复放电。
曾立何也熙SUNIST组
关键词:欧姆加热等离子体电绝缘截面放电磁场
共3页<123>
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