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任萍

作品数：4 被引量：9H指数：1
供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇晶体
  • 2篇半导体
  • 2篇G因子
  • 1篇导体
  • 1篇镍离子
  • 1篇离子
  • 1篇零场分裂
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化镉
  • 1篇晶体场
  • 1篇局域结构
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇光谱
  • 1篇半导体陶瓷
  • 1篇NI
  • 1篇PTCR
  • 1篇CO
  • 1篇EPR参量
  • 1篇EPR谱
  • 1篇LI

机构

  • 4篇四川大学

作者

  • 4篇任萍
  • 3篇邬劭轶
  • 3篇李卫
  • 1篇陈旭
  • 1篇肖定全
  • 1篇潘宇

传媒

  • 3篇四川大学学报...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 3篇1999
  • 1篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co^(2+)的光谱及g因子的研究
1999年
采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子．此方法考虑了ｄ７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献，用此方法解释了ＧａＰ，ＩｎＰ和ＧａＡｓ中Ｃｏ２＋的光谱和ｇ因子。
邬劭轶李卫任萍
关键词：光谱EPR谱G因子化合物半导体
高温PTC陶瓷研究进展被引量：9
1998年
概述了高温ＰＴＣ陶瓷近几年来的研究进展，着重介绍了（Ｂａ、Ｐｂ）ＴｉＯ３高温ＰＴＣ陶瓷体系中Ｐｂ对居里点移动的影响，以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展，简要论述了ＰＴＣＲ的唯象分析理论，展望了高温ＰＴＣ陶瓷的研究前景。
潘宇陈旭任萍肖定全
关键词：PTCR半导体陶瓷
ZnO∶V^(3+)及CdS∶V^(3+)的零场分裂和g因子的研究
1999年
考虑到３ｄｎ离子ｄ电子ｅ轨道和ｔ２轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变，及由于中心离子ｄ电子与配体ｐ电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用，对ＥＰＲ参量Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥（＝ｇ∥－ｇｓ），Δｇ⊥（＝ｇ⊥－ｔｓ）的贡献，用一种基于离子簇方法的模型，计算了ＺｎＯ∶Ｖ３＋及ＣｄＳ∶Ｖ３＋晶体的零场分裂Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥，Δｇ⊥。
任萍李卫邬劭轶
关键词：晶体场硫化镉零场分裂G因子
α-LiIO_3∶Ni^(2+)晶体中的Ni^(2+)-V_(Li)三角中心局域结构的研究
1999年
通过计算α LiIO3∶Ni2 + 晶体零场分裂D和 g因子 ,研究了掺杂Ni2 + 的α LiIO3晶体中Ni2 + VLi三角中心的局域结构 ,估算出Ni2 + 离子应向Li+ 空位 (VLi)位移ΔZ≈ 0 .2 5 ,以及VLi附近的氧离子应位移ΔX≈ 0 .14 9 .
李卫邬劭轶任萍
关键词：EPR参量局域结构镍离子
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