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乔建房

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:郑州大学更多>>
发文基金:教育部重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电容
  • 4篇电容器
  • 3篇陶瓷
  • 3篇介电
  • 3篇SIC/C
  • 3篇CTO
  • 2篇陶瓷电容
  • 2篇陶瓷电容器
  • 2篇热压
  • 2篇热压烧结
  • 1篇电性能
  • 1篇性能表征
  • 1篇性能研究
  • 1篇介电常数
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇介质损耗
  • 1篇复合材料
  • 1篇复合陶瓷
  • 1篇边界层电容器

机构

  • 5篇郑州大学

作者

  • 5篇王海龙
  • 5篇张锐
  • 5篇乔建房
  • 3篇关莉
  • 2篇陈德良
  • 2篇邵刚
  • 2篇李明亮
  • 1篇秦丹丹
  • 1篇李凯
  • 1篇卢红霞
  • 1篇许红亮
  • 1篇邵芳

传媒

  • 2篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能
2009年
首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨。结果发现,在950℃和30MPa的热压条件下制备出的SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数εr≈3×10(81kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化。
王海龙乔建房陈德良关莉李明亮张锐
关键词:陶瓷电容器热压烧结介电性能
SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能研究
本文首先采用固相法合成了Ca CuTiO(CCTO)粉体,将CCTO粉体与Si C粉体均匀混合,制备Si C/CCTO
王海龙乔建房关莉张锐
文献传递
Cu包裹SiCp增强Fe基复合材料的研究
采用非均相沉淀法制备 Cu 包裹 SiC 复合粉体,以及粉末冶金和常压气氛烧结的方法制备 Cu-SiC 复合粉体增强 Fe 基复合材料。利用 X 射线衍射、扫描电镜等手段对 Cu 包裹 SiC 复合粉体以及烧结样品进行了...
邵刚王海龙李凯邵芳乔建房张锐
文献传递
热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能
首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样...
王海龙乔建房陈德良关莉李明亮张锐
关键词:陶瓷电容器性能表征
SiC边界层陶瓷电容器的研制
2007年
选用α-SiC(4-10μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒。干压成型后,在不同温度下常压烧结制得边界层电容器。采用SEM、XRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析。结果发现:1300℃为最佳烧结温度,该温度下最高介电常数(ε)为713100;电容器具有正的介温系数,介电常数在50℃附近急剧增大,而介质损耗(tanδ)在该温度点急剧降低,60℃之后两者均趋于稳定,这可能与界面处产生的空间电荷极化有关;电容器具有强烈的频率色散效应。
秦丹丹乔建房邵刚王海龙许红亮卢红霞张锐
关键词:SIC边界层电容器介电常数介质损耗
共1页<1>
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