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齐跃

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率半导体
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 1篇导通
  • 1篇导通压降
  • 1篇电路
  • 1篇电路应用
  • 1篇动态特性
  • 1篇元胞
  • 1篇载流子
  • 1篇输运
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极型...
  • 1篇二极管
  • 1篇反向恢复
  • 1篇仿真

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇齐跃
  • 2篇张波
  • 2篇李泽宏
  • 2篇汪志刚
  • 2篇陈万军

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种具有低导通压降的P-i-N二极管
一种具有低导通压降的P-i-N二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在二极管中引入由槽栅结构和JFET结构所组成载流子注入模式控制结构。通过施加栅极电压脉冲调制二极管的注入模式，使二极管分别工作在P-i-N模式和零结...
陈万军汪志刚齐跃张波李泽宏
3300V NPT-IGBT动态特性研究
随着经济的持续增长，中国进入城市建设高速发展阶段，节能减排概念深入人心。风能太阳能等新能源产业，轨道交通业及电网智能化等产业对3300V以上高压IGBT模块市场需求强劲。在这一领域国内尚无IGBT管芯的设计生产制造能力，...
齐跃
关键词：绝缘栅双极型晶体管动态特性仿真工具
一种载流子储存槽栅双极型晶体管
一种载流子储存槽栅双极型晶体管（FMP-CSTBT），属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规的CSTBT的P型基区下的N+载流子存储层中插入若干个P+条，P+条8的顶面与P型基区2接触、底面与N-层1接触，且其长度方向...
陈万军齐跃汪志刚张波李泽宏
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