黄金英
- 作品数：13 被引量：54H指数：5
- 供职机构：中国科学院长春应用化学研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 制备微晶硅的方法
- 本发明属于半导体材料领域，是一种制备微晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用紫外光辅助热退火的方法使非晶硅薄膜转化成微晶硅。所用的紫外光辅助热退火的方法是将非晶硅薄膜置于真空退火炉中，进行真空热退火的同...
- 黄金英付国柱荆海凌志华
- 文献传递
- 小尺寸TFT-LCD驱动电路的设计被引量：7
- 2005年
- 根据TFT-LCD的工作原理和显示驱动电路的结构,应用硬件设计出小尺寸TFT-LCD的驱动电路,实现图像的清晰显示。介绍了硬件电路设计的实现方法。
- 张志伟荆海黄金英邝俊峰蔡克烜朱长春
- 关键词：TFT-LCD栅驱动
- 一种制备多晶硅的方法
- 本发明属于半导体材料领域，是一种制备多晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用金属诱导—双次激光退火的方法晶化为多晶硅。首先在普通玻璃基板上制备一层高品质的非晶硅薄膜，然后在非晶硅薄膜上制备一薄层金属镍，...
- 黄金英付国柱荆海凌志华
- 文献传递
- 氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用被引量：7
- 2004年
- 采用钨丝催化化学气相沉积(Cat CVD)方法制备多晶硅(p Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势。通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si—Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度。
- 邝俊峰付国柱高博高文涛黄金英廖燕平荆海
- 关键词：多晶硅薄膜氢原子催化化学气相沉积
- Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制被引量：1
- 2007年
- 采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si—Si键,保留与晶体硅匹配的Si—Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长。经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80nm。而传统方法连续生长20min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰。结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率。
- 张玉荆海付国柱高博廖燕平李世伟黄金英
- 关键词：多晶硅薄膜晶核
- 一种能同时实现高光学信号通量和高分辨率的复合式近场光学探针及其制备方法
- 本发明属于光学器件领域，涉及一种能同时实现高光学信号通量和高分辨率的复合式近场光学探针及其制备方法。解决现有光纤式近场光学探针存在光学信号弱、光学分辨率依赖于探针孔径尺寸的技术问题。本发明的复合式近场光学探针核心部分在于...
- 黄杰涛王大鹏黄金英吕凯旋
- 文献传递
- 高品质低温多晶硅薄膜晶体管的制作与周边一体化设计
- 平板显示器的后起之秀OLED的有源驱动显示技术的发展以及显示器周边驱动电路的集成一体化强烈依赖于LTPSTFT技术的发展，而制备高品质的LTPSTFT的关键是高品质多晶硅薄膜的低温制备技术。
本文首先讨论了紫外...
- 黄金英
- 关键词：薄膜晶体管多晶硅薄膜
- 文献传递
- Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si∶H)薄膜被引量：7
- 2005年
- 对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。XRD测量结果表明非晶硅在500℃退火1 h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(220),而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500℃下退火6 h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化,晶粒均匀,平均晶粒大小约为0.3μm,而且已经发生横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化,除了少量残留在MILC多晶硅中外,其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿。500℃下退火20 h后样品的Raman测试结果也表明,金属离子向周边薄膜扩散,横向晶化了非晶硅薄膜。
- 黄金英赵玉环张志伟荆海凌志华
- 关键词：氢化非晶硅多晶硅金属诱导晶化金属诱导横向晶化
- Ni金属诱导晶化非晶(a-Si:H)薄膜
- 在本文中,作者采用磁控溅射法在a-Si:H薄膜上溅射-薄层金属Ni,然后在500℃下退火晶化,获得多晶硅薄膜,并观察到横向晶化.
- 黄金英付国柱张玉陈国军齐晓薇荆海
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管金属诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射法
- 文献传递
- 制备微晶硅的方法
- 本发明属于半导体材料领域，是一种制备微晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用紫外光辅助热退火的方法使非晶硅薄膜转化成微晶硅。所用的紫外光辅助热退火的方法是将非晶硅薄膜置于真空退火炉中，进行真空热退火的同...
- 黄金英付国柱荆海凌志华
- 文献传递
