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魏丽琼

作品数：9 被引量：17H指数：3
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 6篇全耗尽
  • 6篇SOI
  • 4篇薄膜全耗尽
  • 4篇SIMOX
  • 4篇MOSFET
  • 3篇电路
  • 3篇SOI器件
  • 2篇门阵
  • 2篇门阵列
  • 2篇晶体管
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇薄膜全耗尽S...
  • 2篇CMOS/S...
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电流模型
  • 1篇电路实现
  • 1篇特性分析
  • 1篇专用集成电路

机构

  • 9篇北京大学

作者

  • 9篇魏丽琼
  • 8篇王阳元
  • 6篇李映雪
  • 4篇张兴
  • 4篇程玉华
  • 3篇武国英
  • 3篇孙玉秀
  • 3篇阎桂珍
  • 2篇赵清太
  • 2篇奚雪梅
  • 1篇许铭真
  • 1篇陈占平
  • 1篇谭长华
  • 1篇程玉华

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2005
  • 4篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
薄膜全耗尽SOI　MOSFET单晶体管Latch效应被引量：1
1995年
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了相应的改进措施。
魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词：场效应晶体管SOI
1．5μm全耗尽CMOS／SIMOX门阵列的研制
1996年
本文介绍了可用于高速、高性能抗辐照专用集成电路设计的１．５μｍ薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列母版的研制．较为详细地讨论了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列基本阵列单元、输入／输出单元、单元库的设计技术以及１．５μｍＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列工艺开发过程．该门阵列在５Ｖ电源电压时的单级门延迟时间仅为４３０ｐｓ．
张兴魏丽琼王阳元
关键词：门阵列CMOS电路专用集成电路
通用薄膜双栅SOI　MOSFET电流模型被引量：8
1996年
本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数的双栅ＳＯＩ器件进行了源漏电流的模拟，并对结果进行了分析．
陈占平魏丽琼许铭真谭长华王阳元
关键词：SOI器件MOSFET电流模型
CMOS/SIMOX-SOI电路
王阳元李映雪张兴奚雪梅魏丽琼程玉华赵清太
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果简介：优化了制备SIMOX材料的工艺条件，研制出符合器件要求的SIMOX材料，电子和空穴迁移率均超过了原合同的指标，开发一个快速的SIMOX顶层硅膜和预埋氧化层厚度计算程...
关键词：
关键词：SOI器件半导体器件场效应晶体管
硅膜厚度和背栅对SIMOX／SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究被引量：1
1995年
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全消除了＂Ｋｉｎｋ＂效应，低场电子迁移率典型值为６２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，空穴迁移率为２１０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，泄漏电流低于１０－１２Ａ；随着硅膜厚度的减簿，器件的驱动电流明显增加，亚阈值特性得到改善；全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用，背表面状况可以对器件特性产生明显影响．该工作为以后薄膜全耗尽ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ电路的研制与分析奠定了基础．
魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词：MOSFETSIMOXSOI背栅
薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究被引量：1
1995年
本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响进行了实验研究．实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变．蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大量热电子注入到背栅氧化层中形成了电子陷阱电荷（主要分布在漏端附近）所致．文章还对经过Ｌａｔｃｈ应力后，全耗尽ＳＯＩ器件在其他应力条件下的蜕变特性进行了分析．
程玉华魏丽琼孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词：MOSFETSOISIMOX
薄膜全耗尽SOI门阵列电路设计与实现被引量：3
1996年
在Ｄａｉｓｙ系统上设计出通用性强、使用方便的ＳＯＩ门阵列母版及门阵列电路，并采用１．５μｍＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺在薄膜全耗尽ＳＩＭＯＸ材料上得以实现，其中包括多种分频器电路和环形振荡器，环振可工作在２．５Ｖ，门延迟时间在５Ｖ时为４３０ｐｓ。
魏丽琼张兴李映雪王阳元
关键词：门阵列薄膜全耗尽SOISIMOX薄膜电路
全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展被引量：3
1996年
ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件。分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。
张兴李映雪奚雪梅赵清太程玉华魏丽琼王阳元
关键词：半导体材料SOICMOS半导体器件
薄膜全耗尽SIMOX/SOI器件特性分析及门阵列电路实现
魏丽琼
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