高见头
- 作品数：8 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- n型4H-SiC MOS电容的特性
- 2005年
- 在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H2,O2合成热生长的SiO2与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小.n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×1017cm-3.
- 宁瑾刘忠立高见头
- 关键词：4H-SICMOS电容C-V特性
- 改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性
- 2005年
- 利用注硅固相外延的方法对0.2μmSOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μmSOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.
- 刘忠立李宁高见头于芳
- 关键词：固相外延改性CMOS器件
- 抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器被引量：7
- 2007年
- 介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×1011rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PDSOICMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.
- 赵凯刘忠立于芳高见头肖志强洪根深
- 关键词：静态随机存储器
- 改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性
- 本文利用注硅固相外延的方法对0.2μmSOS薄硅膜材料进行改性,制作了单管PMOSFET、NMOSFET及54HC04电路,测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现改性后的SOS薄硅膜材料制作...
- 刘忠立李宁高见头于芳
- 关键词：固相外延改性CMOS器件
- 文献传递
- 3C-SiC薄膜的ICP刻蚀研究
- 本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对...
- 巩全成宁瑾孙国胜高见头王雷李国花曾一平李晋闽李思渊
- 关键词：ICP刻蚀速率SIO2谐振器
- 文献传递
- SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟被引量：3
- 2011年
- 为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,通过与实际单粒子实验结果的对比,验证了这种模拟方法的实用性。
- 李振涛于芳刘忠立赵凯高见头杨波李宁
- 关键词：单粒子翻转静态随机存储器
- n型4H-SiC MOS电容的特性研究
- 本文在n型4H-SiC外延层上,采用H<,2>、O<,2>合成的办法,热生长300A的SiO<,2>层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO<,2>与4H-SiC外延层的界...
- 宁瑾刘忠立高见头
- 关键词：4H-SICMOS电容C-V特性
- 文献传递
- 用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力被引量：11
- 2010年
- 提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基SRAM芯片的抗单粒子翻转能力,突破了SOI CMOS加固工艺和128kb SRAM电路设计等关键技术,研制成功国产128kb SOI SRAM芯片。对电路样品的抗单粒子摸底实验表明,其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61.8MeV/(mg/cm2),优于未做加固设计的体硅CMOS SRAM。结论表明,基于SOI技术,仅需进行器件结构和存储单元的适当考虑,即可达到较好的抗单粒子翻转能力。
- 赵凯高见头杨波李宁于芳刘忠立肖志强洪根深
- 关键词：绝缘体上硅静态随机存储器
