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骆溁

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：南京理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇铁酸铋
  • 2篇导体
  • 2篇雨雾
  • 2篇水热
  • 2篇水热合成
  • 2篇水热合成法
  • 2篇探测器
  • 2篇铁电
  • 2篇墙体表面
  • 2篇热合成
  • 2篇自清洁
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇合成法
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇半导体薄膜材...
  • 2篇掺杂
  • 2篇存储器

机构

  • 6篇南京理工大学

作者

  • 6篇骆溁
  • 5篇马赫
  • 5篇袁国亮
  • 3篇刘治国
  • 2篇王海洋
  • 2篇陈江鹏
  • 1篇王峻岭

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
锆钛酸铅和铁酸铋薄膜的铁电与阻变性能研究
人们广泛关注和研究铁电、阻变随机存取存储器与Pb(Zr1-xTix)O3、BiFeO3等钙钛矿型铁电材料。普及的Flash存储器已面临尺寸减小受限、能耗降低难等难题，因此，寻找结构简单、能耗低、速度快、密度高且成本低的存...
骆溁
关键词：存储器件铁电薄膜锆钛酸铅铁酸铋氧空位
一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn...
骆溁陈江鹏马赫袁国亮刘治国
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一种光读取铁电存储器极化存储状态的方法
本发明公开了一种光读取铁电存储器存储状态的方法。包括以下步骤：根据铁电存储单元材料的禁带宽度来选取相应的光源波长；采用上述光源在5-500μW/cm<Sup>2</Sup>光功率密度下读取电流，确定电流方向；极化方向与所...
袁国亮骆溁马赫王峻岭刘治国
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一种自清洁喷涂液制造及使用方法
本发明揭示了一种自清洁喷涂液制造及使用方法，通过水热合成法制备TiO<Sub>2</Sub>胶体溶液，将其以一定比例溶入有机溶剂制成自清洁喷涂液。经过简单喷涂或刷涂方式，可快速在玻璃、金属、卫浴陶瓷及墙体表面形成持久的保...
袁国亮王海洋骆溁马赫
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一种自清洁喷涂液制造及使用方法
本发明揭示了一种自清洁喷涂液制造及使用方法，通过水热合成法制备TiO<Sub>2</Sub>胶体溶液，将其以一定比例溶入有机溶剂制成自清洁喷涂液。经过简单喷涂或刷涂方式，可快速在玻璃、金属、卫浴陶瓷及墙体表面形成持久的保...
袁国亮王海洋骆溁马赫
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一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn...
骆溁陈江鹏马赫袁国亮刘治国
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