马通达
- 作品数：57 被引量：40H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家创新方法工作专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法
- 一种绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法，它包括：(1)根据所要检测的应变硅异质结的晶体学结构特征，按X射线双晶对称衍射几何进行实验布置；(2)利用同步辐射单色光对样品进行双晶对称衍射获得摇摆曲线，得到应变硅异质结的衍射峰...
- 马通达屠海令胡广勇孙泽明邵贝羚刘安生
- 文献传递
- Si_3N_4复合陶瓷材料的微观组织和断裂机制被引量：2
- 2000年
- 使用AEM和HREM研究了添加纳米SiC颗粒和同时添加纳米SiC颗粒及SiC晶须的两种Si3N4 复合陶瓷材料的微观组织和断裂机制。结果表明 ,部分SiC颗粒分布在Si3N4 晶内 ,SiC晶须分布在Si3N4 晶粒之间 ,SiC颗粒和晶须与Si3N4 界面之间不存在第二相组织 ,非晶组织大多分布在Si3N4 三叉晶界。断裂裂纹主要沿晶界和相界面扩展 ,也可能穿过少数Si3N4 晶粒。当裂纹扩展遇到SiC颗粒和 /或SiC晶须时 ,会发生转弯 ,产生分枝裂纹或微裂纹并在Si3N4 晶内和Si3N4 晶粒的断裂表面引起晶格畸变 ,这降低了裂纹扩展能量 。
- 王瑞坤孙丽虹马通达朱其芳吴波于荣董利民
- 纳米集成电路用硅基半导体材料
- 2003年
- 随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。
- 屠海令石瑛肖清华马通达
- 关键词：纳米集成电路绝缘体上硅锗硅SIGESOI
- 离子辐照的316L不锈钢中空洞密度的定量化电子显微镜测试被引量：1
- 2018年
- 316L奥氏体不锈钢经过高剂量氦注入及高能铁离子辐照后,产生高密度空洞.本文采用聚焦离子束(FIB)技术从辐照后的316L不锈钢试样上制备出透射电子显微镜(TEM)样品,通过TEM定量分析样品薄区的空洞密度及分布状态,进而计算出样品的辐照肿胀率.该定量表征结果的准确性依赖于样品薄区厚度的精确测量.然而,Kelly和Allen早期提出的基于会聚束电子衍射(CBED)的膜厚测量技术无法直接应用于TEM样品较薄微区的厚度测量(厚度<0.6ζ_g,ζ_g为衍射束g对应的消光距离).本文提出对同一样品较厚区域CBED花样进行测量拟合出特定衍射束的消光距离,再将该参数应用于待测薄区同一取向CBED花样的测量结果,从而估算样品薄区的厚度.讨论了CBED方法相对于电子能量损失谱(EELS)方法在透射样品厚度测量上的优势.以离子辐照后的316L不锈钢样品薄区厚度测量及空洞密度定量分析为实例,探讨了本文所提出的基于CBED技术的薄区厚度测量方案在实验过程中的主要影响因素及优化途径.
- 付新张崇宏张崇宏马通达贾荣光
- 关键词：透射电子显微镜离子辐照
- 场发射电子枪电源外壳
- 一种场发射电子枪电源外壳，它包括圆柱形的壳体，该壳体两端用盲盖密封；该壳体上设有输入端、充放气阀门和压力表。该输入端的端口为高压电缆连接端口；该端口为法兰结构，外侧设有密封通讯接口插座，内侧设有绝缘子。本实用新型场发射电...
- 张希顺马通达杜志伟张智慧杜风贞孙继光牟洪山刘安生黄玉生
- 文献传递
- 锗基半导体材料在微纳电子学中的应用研究
- e invention of Ge semiconductor transistors starts the microelectronic revolution.A vast amount of research wo...
- 屠海令肖清华苏小平马通达魏峰杜军
- 长纤维复合材料界面纳米尺度组织与温度关系的综合研究
- 朱祖铭郭延风石南林朱桂秋马通达
- 应用场发射扫描电镜等显微分析手段来探明长纤维复合材料界面纳米尺度组织的精细结构，结合声发射和力学试验来分析界面组织结构与结合强度间的关系。探明纤维表面改性以及热处理工艺对界面显微组织结构和材料性能的影响以及作用机理。研究...
- 关键词：
- 钒合金的电子辐照损伤研究被引量：3
- 2015年
- 在室温(20℃)和高温(450℃)下,使用1 m V-高压透射电子显微镜(TEM)原位观察了V-4Cr-4Ti合金微观组织结构的演化和点缺陷团簇行为。原位电子辐照诱导Ti-C-O析出物发生分解,并引入缺陷团簇。这些缺陷团簇捕获电子辐照引入的点缺陷,随着辐照剂量的增加而单调长大。分析这些缺陷团簇平均尺寸与辐照剂量的依赖关系发现:当辐照剂量高于1 dpa时,缺陷团簇的长大速率小于辐照剂量低于0.5 dpa时的速率,说明V-4Cr-4Ti合金中缺陷团簇的长大速率随着辐照剂量的增加而减小。167℃下,运用电子加速器对V-4Cr-4Ti合金进行了离位电子辐照实验,采用小冲杆实验法(SPT)对电子辐照前后V-4Cr-4Ti合金样品进行了力学性能测试。发现相比于未经电子辐照的钒合金样品,经过电子辐照的钒合金样品开始发生塑性形变的位移减少了0.04 mm,说明经过电子辐照后,合金发生了延性损失,塑性降低。随着电子辐照剂量的增加,钒合金样品的最大断裂载荷和断裂韧性均单调增加。
- 周康宁张崇宏崔舜胡晓康马通达
- 关键词：钒合金电子辐照显微组织力学性能
- 低应变SiGe/Si异质结构的应变弛豫与界面扩散
- 利用透射电子显微镜(TEM)和同步辐射X射线白光形貌术研究了低应变SiGe/Si异质结构应变弛豫和界面扩散.观察到SiGe外延层未发生应变弛豫,Si缓冲区和Si衬底中有颗粒状析出物.
- 马通达屠海令王敬陈长春黄文韬
- 关键词：透射电子显微镜应变弛豫
- 文献传递
- Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射被引量：2
- 2005年
- 运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨三轴晶X射线衍射2θω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系.
- 马通达屠海令胡广勇邵贝羚刘安生
