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顾忠华
作品数:
43
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H指数:1
供职机构:
清华大学
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发文基金:
国际科技合作与交流专项项目
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
机械工程
医药卫生
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合作作者
潘国顺
清华大学研究院
龚桦
清华大学研究院
陈高攀
清华大学
邹春莉
清华大学研究院
罗桂海
清华大学研究院
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作者
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顾忠华
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一种能够延长抛光垫使用寿命的硅晶片精抛光液
本发明涉及一种能够延长抛光垫使用寿命的硅晶片精抛光液,本发明属于化学机械抛光领域,本发明抛光液包括二氧化硅溶胶、碱性化合物、去离子水余量,还包括聚阴离子纤维素、小分子无机非金属桥联剂、水溶性聚合物和胍基化合物。本发明的抛...
潘国顺
顾忠华
龚桦
邹春莉
罗桂海
王鑫
陈高攀
文献传递
一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物
本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物。该抛光组合物中二氧化硅颗粒粒径为1~500nm,含量为0.05~20wt%;表面活性剂含量为0.001~1wt%;碱性化合物含量为0.001~10...
潘国顺
顾忠华
邹春莉
李拓
雒建斌
路新春
刘岩
文献传递
一种快速制备大粒径硅溶胶的方法
本发明公开了一种快速大粒径硅溶胶的制备方法,属于无机应用材料领域,具体涉及一种离子交换法快速制备大粒径硅溶胶。选择以气相二氧化硅制备的高纯硅酸钠为原料通过离子交换法制备活性硅酸和二氧化硅母液,通过调节二氧化硅母液的PH值...
潘国顺
陈高攀
顾忠华
罗桂海
王鑫
文献传递
一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法
本发明涉及一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法,属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域,特别涉及一种具有催化作用的抛光组合物。本发明组合物包括去离子水、含催化剂组合磨粒、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、界面反应助剂、pH调...
潘国顺
邹春莉
顾忠华
徐莉
龚桦
王鑫
文献传递
一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法
本发明涉及一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法,属于化学机械抛光(CMP)领域。该组合物包括以下组分:酸性二氧化硅溶胶、硅溶胶颗粒稳定剂、吸热剂、碱性化合物、表面活性剂、去离子水余量;所述的大尺寸硅晶片直径...
潘国顺
顾忠华
罗桂海
龚桦
邹春莉
陈高攀
王鑫
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一种适用于晶片边缘抛光的组合物及其制备方法
本发明一种适用于晶片边缘抛光的组合物及制备方法,涉及化学机械抛光技术领域,该组合物的组分及配比为,酸性二氧化硅溶胶1~50wt,羧基磷酸化合物0.01~1wt,唑类化合物0.01~1wt,酸性化合物0.01~1wt%,碱...
潘国顺
顾忠华
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邹春莉
罗桂海
王鑫
陈高攀
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一种适用于低下压力的集成电路铜抛光液
本发明涉及一种适用于低下压力的集成电路铜抛光液,属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域。本发明的抛光液包含磨粒、氧化剂和去离子水、含复合抑制剂、复合络合剂和硅溶胶桥联剂。本发明能够在低下压力(1psi以下)条件下实现...
潘国顺
顾忠华
龚桦
邹春莉
罗桂海
王鑫
陈高攀
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一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物
本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物。该抛光组合物中二氧化硅颗粒粒径为1~500nm,含量为0.05~20wt%;表面活性剂含量为0.001~1wt%;碱性化合物含量为0.001~10...
潘国顺
顾忠华
邹春莉
李拓
雒建斌
路新春
刘岩
一种抛光组合物
本发明涉及一种抛光组合物,属于化学机械抛光(CMP)领域。本发明所述组合物包含氧化铈粉,酸性二氧化硅溶胶,表面保护膜形成剂,唑类化合物及氧化铈二氧化硅桥联剂,去离子水;各组分配比为:氧化铈粉5~30wt%;酸性二氧化硅溶...
王同庆
顾忠华
黄灿荣
顾敏敏
王鑫
潘国顺
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一种能够延长抛光垫使用寿命的硅晶片精抛光液
本发明涉及一种能够延长抛光垫使用寿命的硅晶片精抛光液,本发明属于化学机械抛光领域,本发明抛光液包括二氧化硅溶胶、碱性化合物、去离子水余量,还包括聚阴离子纤维素、小分子无机非金属桥联剂、水溶性聚合物和胍基化合物。本发明的抛...
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