陈建华
- 作品数：8 被引量：33H指数：3
- 供职机构：空军工程大学航空航天工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- 外加电场法制备LiNbO_3周期畴的工艺研究被引量：2
- 2008年
- 研究了LiNbO_3单晶周期极化畴结构的制备工艺,讨论了外电场的特性对周期极化过程的影响.在对周期畴制备各工艺步骤进行实验研究的基础上,提出解决LiNbO_3单晶周期畴制备中一直存在的边缘击穿问题,必须选择合适的周期电极形式并对脉冲波形进行优化.采用所提出的工艺,LiNbO_3周期极化畴的成品率提高到了90%.为解决周期极化过程中反转畴的侧向扩展,在对周期极化物理过程进行分析的基础上。采取了对周期电极宽度进行优化设计和在样品上包覆聚酰亚胺绝缘胶的方法,有效克服了这一问题,制备了占空比符合预期的高质量的周期畴结构.
- 陈建华屈绍波魏晓勇徐卓朱林户
- 非铅基压电陶瓷体系的研究及进展被引量：6
- 2004年
- 说明了铅基压电陶瓷与环境保护的不协调性以及锆钛酸铅 (Pb(Zr,Ti)O3 )系列材料的不足。系统地总结了目前已有的和研究中的非铅基压电陶瓷体系 ,介绍了各体系展开的研究工作 ,归纳了成功的经验。详细论述了钛酸铋钠 ((Na0 .5Bi0 .5)TiO3 )为基的系列无铅压电陶瓷材料体系和铋层结构材料 ,并针对这两个体系阐述了在各自的研究中有待进一步解决的问题。
- 陈建华裴志斌车俊屈绍波杜红亮
- 关键词：无铅陶瓷压电陶瓷钛酸铋钠
- 外加电场法制备LiNbO_3周期畴的反转电流特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用外加电场法制备了LiNbO3单晶周期畴结构.在对不同尺寸周期畴的反转电流进行比较研究的基础上,提出了一种确定反转畴成核时间和纵向贯穿速率的方法.根据这一方法,得到在电场强度为25.1kV/mm,脉冲宽度为50ms的脉冲方波作用下,LiNbO3单晶反转畴的成核时间约为80ns,纵向贯穿速率约为0.1667m/s.
- 陈建华屈绍波魏晓勇徐卓朱林户
- 一种大功率压电陶瓷变压器材料研究被引量：6
- 2004年
- 采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti1/2Zr1/2)O3(PNW-PMS-PZT)四元系压电陶瓷。分析了粉体和陶瓷的相结构组成,结果表明烧结温度的提高和PZT含量的增加有助于钙钛矿相的生成,同时发现PZT的含量在0.91～0.93附近有准同型相界存在。研究了室温下烧结温度和PMS含量对相对介电常数εr,机电耦合系数kp,机械品质因数Qm和压电常数d33的影响,实验表明在室温下随着PMS含量的增加εr、kp、d33逐渐减小,Qm增加;随着烧结温度的提高,kp、d33增大。制得了室温下εr为1959,d33为390pC/N,kp为0.614,Qm为1349的大功率压电陶瓷变压器压电材料。
- 杜红亮裴志斌车俊王翠香屈绍波陈建华
- 关键词：电子技术
- 周期极化LiNbO_3晶片的制备工艺研究
- 2007年
- 采用外加电场法制备了周期极化LiNbO3单晶(PPLN),实现LiNbO3单晶周期极化的反向脉冲为24.3 kV/mm,单个脉冲宽度为30 ms,脉冲个数为50个。系统研究了脉冲波形、电极形状对周期极化的影响,实验结果证明,框形电极是克服高电压作用下LiNbO3晶片击穿严重的有效方法,成品率是采用梳状电极的5倍。选择合适的脉冲波形对成功制备周期极化的LiNbO3晶体有着极其重要的作用。采用上升时间为5 ms的方形脉冲极大地改善了高电压作用下的边缘被打碎而引发的边缘击穿,及由晶片中间部分出现微细裂纹而引发的体击穿。
- 陈建华屈绍波文雪忠薛金林魏晓勇徐卓朱林户
- 关键词：LINBO3周期极化外加电场
- 镧掺杂(Na_(0．5)Bi_(0．5))TiO_3压电陶瓷的结构与性能被引量：1
- 2007年
- 采用传统陶瓷工艺制备了镧掺杂(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3无铅压电陶瓷,研究了材料的结构、介电和压电性能。发现镧掺杂有利于生成稳定的钙钛矿结构,促进了晶粒生长。镧掺杂(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3陶瓷表现出明显的弛豫特性,当镧掺杂量为5mol%时,1200℃烧结样品室温下的介电常数从630提高到855,介电损耗从5.2%减小到3.3%。适量的镧掺杂大幅降低了材料的电导率,最佳的掺杂量为1 mol%,测量温度为75℃时,该配方1200℃烧结样品的电导率σ仅为7.75148×10^(-13)S·cm^(-1),同掺杂前的9.50827×10^(-11)S·cm^(-1)前相比减小了3个数量级。
- 陈建华屈绍波朱林户裴志斌车俊
- 关键词：无铅压电陶瓷钛酸铋钠镧掺杂
- 锰掺杂对(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3-BaTiO_3-(K_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3陶瓷介电和压电性能的影响被引量：14
- 2006年
- 采用传统陶瓷工艺制备了锰掺杂0.8(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.1BaTiO3-0.1(K0.5Bi0.5)TiO3(BNT-BT-BKT)无铅压电陶瓷材料,研究了材料的介电、压电和铁电性能。发现锰掺杂大幅降低了0.8(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.1BaTiO3-0.1(K0.5Bi0.5)TiO3陶瓷的电导率和矫顽场,最佳掺杂量为0.1%(质量分数),该配方的最佳烧结温度为1150℃。这一温度下烧结所得样品在130℃时的电导率仅为1.36×10-11Ω-1cm-1,约为掺杂前的1/40,矫顽场Ec仅为2.78kV/mm,剩余极化强度Pr为38μC/cm2,压电系数d33达到143pC/N。
- 陈建华屈绍波高坤华裴志斌朱林户
- 关键词：无铅压电陶瓷钛酸铋钠锰掺杂
- PNW-PMS-PZT压电陶瓷的制备及性能研究被引量：3
- 2004年
- 采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了其粉体的相结构组成,研究了室温下烧结温度和组分对表观密度ρ、相对介电常数εr、介电损耗tanδ,居里温度Tc和压电常数d33的影响,实验表明在室温下随着PZT含量的增加εr、Tc、d33逐渐增大,tanδ逐渐减小;随着烧结温度的提高,ρ总体增大,εr、d33增大,tanδ逐渐减少,Tc变化不明显。制得了εr=2200,tanδ=0.0062,d33=390pC/N,Tc=235℃的压电材料。
- 杜红亮裴志斌车俊王翠香屈绍波陈建华
- 关键词：介电性能居里温度压电性能
