钟玉杰
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种新型硅基3C-SiC的生长方法及光谱学表征被引量：3
- 2009年
- 采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源气,在n-Si(111)衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体,CH4作为碳源,硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质。结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜。
- 程顺昌杨治美钟玉杰何毅孙小松龚敏
- 关键词：拉曼散射光谱傅里叶变换红外光谱
- GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析
- 2011年
- 利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,这种缺陷会影响晶格质量,导致γ发生很大变化。
- 蔡娟露程兴华钟玉杰何志刚何志刚史同飞龚敏
- 关键词：GAMNAS遗传算法XRD红外光谱
- 杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究被引量：1
- 2009年
- 提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度,但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响,本文对低温分子束外延技术(LT-MBE)生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析,发现样品中存在大量的As反位缺陷(AsGa)、Mn的间隙位缺陷(MnI)、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷,这些缺陷都会影响外延层的光谱特性,同时也会影响器件的电学性能。
- 钟玉杰程顺昌苏平龚敏石瑞英曹先存史同飞
- 关键词：红外光谱
