金峰
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 供职机构：贵州大学理学院贵州省光电子技术及应用重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 多孔硅量子点的受激辐射:陷阱态的作用被引量：1
- 2009年
- 经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构。用514nm的激光泵浦，观测到该多孔硅的受激辐射。当激励强度超过阈值时，在650～750nm区域有很强的受激发光峰。这些受激发光峰的半高宽小于0．5nm。激光辐照和高温退火后，在样品上能形成某些特殊的氧化结构。在傅里叶红外光谱分析中，显示有硅氧双键或硅氧桥键在硅表面形成。计算结果表明：当硅氧双键或硅氧桥键形成时，电子的陷阱态出现在纳晶硅的带隙中。价带顶和陷阱态之间的粒子数反转是解释这种受激辐射的关键。
- 黄伟其张荣涛秦朝建刘世荣金峰王海旭许丽吴克跃陈亮
- 关键词：受激辐射多孔硅量子点
- 激光作用生成的网孔硅结构被引量：1
- 2007年
- 作者结合量子受限效应,提出纳硅晶与氧化硅界面态发光模型来解释激光作用生成的纳米网孔壁结构的强荧光效应。将功率为50W、波长为1064nm的YAG激光束(束斑直径0.05mm)照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上,有很特殊的网孔形结构,其中的网孔壁厚为纳米尺度,这里有很强的受激荧光发光效应,发光峰中心约在700nm处。我们将激光与硅样品的作用隔离于无氧化的环境里,分别比较了将硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中的激光加工结果,其发光情况证实了该发光模型的真实性。优化激光加工的条件,我们获得了较强发光的样品。
- 金峰王海旭黄伟其吴克跃许丽刘世荣秦朝建
- 关键词：激光辐照
- 飞秒激光与硅样品作用生成纳米光栅结构被引量：3
- 2007年
- 我们用脉冲宽度120fs、波长800nm、能量密度从0．1J／cm^2～0．5J／cm^2的激光束照射硅样品和锗硅合金样品表面能够生成各种低维形貌结构。特别是将飞秒激光束散焦至直径为100μm的束斑，并以每秒1000个脉冲照射硅样品表面两秒钟时（能量密度在熔融阈值0．2J／cm。附近），能生成周期间隔为400nm的浮雕光栅状的一维微结构。我们用飞秒激光与其诱导的等离子体波的相干模型解释了光栅状微结构的形成机理。还发现这种结构有很强的PL发光，PL峰的中心约在719nm处。该飞秒激光加工技术既简捷叉稳定，在光学和微电子加工领域应有很好的应用前景。
- 王海旭金峰黄伟其吴克跃许丽刘世荣秦朝建蔡绍洪胡林
- 关键词：飞秒激光
- 激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的PL发光被引量：2
- 2008年
- 用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构,可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理.其中,在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光致发光(PL)峰,在硅锗合金上形成的多孔状结构于波长为725nm处有极强的PL峰,在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为760nm和866nm处也有较强的PL峰;这些结构表面都覆盖有氧化硅层,在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗晶团簇,并用相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应.
- 黄伟其吴克跃许丽王海旭金峰刘世荣秦朝建秦水介
- 关键词：等离子体波光致发光
- 激光辐照加工的硅氧化结构的受激发光(英文)被引量：1
- 2008年
- 我们用1 064nm脉冲激光在硅表面加工出小孔结构,再作高温退火处理形成硅氧化纳米结构,发现该结构在692和694nm波长处有很强的光致受激发光(PL).通过进一步实验发现:该PL发光有明显的阈值表现和光泵线性增强效应,证明该PL发光确实是光致受激辐射.我们提出氧化界面态模型来解释光致受激发光机理,在氧化界面态与价带顶空穴态之间形成粒子数反转.这项工作为硅基上发光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.
- 黄伟其金峰王海旭刘世荣秦朝建秦水介胡林
- 关键词：激光辐照
- 脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性被引量：6
- 2008年
- 将功率密度约为0.5 J.s-1.cm-2、脉冲宽度约为8 ns、束斑直径为0.045 mm、波长为1 064nm的YAG激光束照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构;该结构有很强的光致荧光,其强度比该样品的瑞利散射强;发光峰中心约在700 nm处。在无氧化的环境里用激光加工出的硅样品几乎无发光,这证实了氧在光致荧光增强上起着重要作用。用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状结构形成的机理,并用量子受限-发光中心模型来解释纳米网孔壁结构的强荧光效应。当激光辐照时间为9 s时,孔洞侧壁上的网孔状结构较稳定,且有较强的光致荧光。
- 许丽黄伟其吴克跃金峰王海旭
- 关键词：激光辐照
